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- 박성구 : 절연형 게이트 드라이버에서 절연 내압뿐 아니라 순간적인 공통 모드 전압 변화에 대한 내성이 중요할 것 같은데 실제 산업용 전력 장치에서는 어떤 시험 항목을 통해 이를 검증하는지 궁금합니다.
- : 부품 단품 레벨의 동적 CMTI 표준 시험(IEC 60747-17 / VDE 0884-17)과 보드 및 완제품 레벨의 과도 내성 시험(IEC 61000-4-4 EFT/Burst, 더블 펄스 테스트, 고전압·고온 연속 스위칭 내구 시험)을 병행하여 검증합니다
- 고효율 전력 변환을 위한 첫걸음, 게이트 드라이버 동작 원리와 최신 트렌드 -
- 박서영 : 게이트 드라이버의 성능을 평가할 때 개별 소자의 시험 결과와 실제 전력 변환 시스템에 장착했을 때의 결과 사이에 차이가 발생할 수 있는데 노보센스에서는 실제 응용 회로 기반의 검증 자료나 비교 시험 결과를 제공하는지 궁금합니다.
- : 네 제공 드리고 있습니다
- 고효율 전력 변환을 위한 첫걸음, 게이트 드라이버 동작 원리와 최신 트렌드 -
- 권준식 : 항상 유익한 웨비나 감사합니다, ST의 실리콘 LV MOSFET 적용한 전장용 모터의 경우 동일한 성능 대비 발열/전력소모 등 효율성 관점에서 비교를 하면 어떤 지 궁금합니다
- : 각 회사마다 설계 특성이나 레이아웃 등이 전부 다르기 때문에 1:1로 비교는 어렵습니다. 경쟁사 대비하여 발열이나 효율에서는 거의 대동소이한 경우가 많이있으나 EMI측면에서는 좀더 좋은 특성을 보여주고 있습니다.
- 산업 및 자동차 애플리케이션을 위한 차세대 MOSFET, IGBT & IPM 솔루션 -
- 선한걸 : 발표자료를 살펴보니 웨이퍼 두께가 얇아지는 방향으로 기술이 발전하면서 적용 전압 범위도 낮아지는 경향이 있는 것으로 보여 문의드렸습니다.
- : 같은 전압의 소자를 개발할 때 전계분포를 개선하여 웨이퍼 두께를 얇게 만들고 있습니다. 일반적으로 전압은 epi layer를 키워 증가 시킬 수 있기 때문에 개선된 기술을 사용하여 같은 두께로 소자를 만들면 더 고전압의 소자를 구현할 수 있습니다.
- 산업 및 자동차 애플리케이션을 위한 차세대 MOSFET, IGBT & IPM 솔루션 -
- 장성원 : 교육해주심에 정말 감사합니다. 1. IC가 등록된 제품같은 경우에는 불러올 수 있으나 없으면 어떻게 불러오는걸까요? 2. 차동통신을 서로 하는 회로를 그리는 방법은 어떻게 그리나요?
- : 1. IC가 기존 라이브러리에 없더라도 그 IC 제작사 홈페이지에 가서 해당 부품을 검색하면 SPICE 모델이 첨부되어 있는 경우가 많습니다. 첨부되어 있지 않은 경우에는 제작사에 요청해 보세요. SPICE 모델이 제공되는 유사한 성능의 호환 제품으로 전환하는 것도 좋을 것 같습니다. 그리고, LTspice는 아날로그 회로 시뮬레이터라는 점에 유의하셔야 합니다. 간단한 게이트나 플립플롭 수준을 넘는 디지털 회로 부분에 대한 시뮬레이션은 제공하지 않습니다. 2. 직병렬 통신회로도 디지털 회로입니다. 따라서, LTspice는 이 부분에 대한 시뮬레이션을 제공하지 않습니다.
- LTspice, 설치만 해두고 못 쓰고 있다면, 지금 이 90분으로 바뀝니다 -