ROHM - e4ds news

로옴, 저손실 특성·높은 단락 내량 1200V IGBT 개발

최근 자동차 및 산업기기에서 고전압화가 가속화되며 차량용 전동 컴프레서나 HV 히터, 산업기기 인버터에 탑재되는 파워 디바이스에도 고전압 대응이 요구되고 있다. 또한 저전력화, 냉..

LiDAR의 성능 향상에 기여하는 고출력 레이저 다이오드

D-19 | 2024. 12. 10

SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

종료 | 2024. 09. 05

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로옴, SOP 패키지 범용 AC-DC 컨트롤러 IC 4종 발매

로옴(ROHM)이 산업기기의 AC-DC 전원에 최적인 PWM 제어 방식 FET 외장 타입의 범용 컨트롤러 IC를 개발하고, 저내압 MOSFET 구동용 ‘BD28C55FJ-LB’, ..

2024.08.21by 배종인 기자

로옴, 차량용 Nch MOSFET 10기종 3패키지 출시

로옴(ROHM)이 낮은 ON 저항을 특징으로 하는 차량용 Nch MOSFET △RF9x120BKFRA △RQ3xxx0BxFRA △RD3x0xxBKHRB를 출시하며, 자동차에서의 ..

2024.07.31by 배종인 기자

로옴, 최소형 CMOS OP Amp 소형화·고정밀도화 실현

로옴(ROHM)이 소형화 및 고정밀도화를 실현시킨 최소형 CMOS OP Amp를 출시하며, 스마트폰 및 소형 IoT 기기 개발자들의 고민을 덜어 줄 것으로 기대된다.

2024.05.30by 배종인 기자

로옴, 아날로그·디지털 융합제어 전원 솔루션 출시

로옴(ROHM)이 소전력∼중전력대(30W∼1kW 클래스)의 산업기기, 민생기기용으로 풀 디지털 제어 전원과 동등한 기능을 아날로그 제어 전원 수준의 저소비전력과 낮은 비용으로 실현..

2024.04.24by 배종인 기자

Best Q&A

SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법 2024. 09. 05

한*웅

스위칭 속도는 높아지나 Peak 전류가 더 높아지는 불리한점은 없나요?

ROHM2

일반적으로 스위칭 속도가 높아질 수록 Peak 전류도 상승합니다. Gate 저항치로 Switching 속도를 조절하는 방법 등으로 설계가 필요합니다.

최*섭

sic mosfet에서 빠른 턴오프를 위해 negative bias를 구성해야된다고 하였는데 4세대 제품에도 구성을 해야되는건가요?

ROHM2

Self Turn-on현상을 막기위해 기존에 Negative bias를 구성해야 했습니다. 현재 로옴 SiC 4세대 제품의 솔루션은 Negative bias 인가 필요가 없습니다.

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