ST마이크로일렉트로닉스가 고전압 브러시 DC 및 단상 브러시리스 모터 애플리케이션을 위한 새로운 전력 드라이버 SiP 시리즈의 두 번째 제품인 고밀도 전력 드라이버 PWD5F60를 출시했다. 이 SiP 솔루션은 600V/3.5A 단상 MOSFET 브리지와 게이트 드라이버 및 부트스트랩 다이오드, 보호 기능 및 2개의 비교기를 15 x 7mm 패키지에 통합했으며, 열효율이 높아 디스크리트 부품에 비해 보드 공간을 60% 적게 차지하면서도 신뢰성은 높이고, 설계 및 어셈블리를 간소화한다.
600V/3.5A 단상 MOSFET 브리지,
게이트 드라이버 및 부트스트랩 다이오드,
보호 기능 및 2개의 비교기를 한 패키지에 통합
ST마이크로일렉트로닉스 PWD5F60
ST마이크로일렉트로닉스가 13일, 고전압 브러시 DC 및 단상 브러시리스 모터 애플리케이션을 위한 전력 드라이버 SiP 시리즈의 두 번째 제품인 고밀도 전력 드라이버 PWD5F60를 출시했다.
이 SiP 솔루션은 600V/3.5A 단상 MOSFET 브리지와 게이트 드라이버 및 부트스트랩 다이오드, 보호 기능 및 2개의 비교기를 15 x 7mm 패키지에 통합했다. 열효율이 뛰어난 이 SiP는 디스크리트 부품에 비해 보드 공간을 60% 적게 차지하면서도 신뢰성은 높이고, 설계 및 어셈블리를 간소화해준다.
단상 풀-브리지 모듈인 PWD5F60은 산업용 펌프 및 팬, 송풍기, 가전, 공장 자동화 시스템과 같은 애플리케이션의 브러시 DC 모터를 구동하는 데 적합하다. 특히 합리적 가격으로 뛰어난 내구성과 효율성을 보장해야 하는 단상 브러시리스 모터를 사용하는 기기에 더욱 적합하다. 전원공급 장치에도 비용 효율적이면서도 편리하게 사용할 수 있다.
1.38Ω의 온 저항을 구현하는 PWD5F60의 통합 N-채널 MOSFET은 높은 효율로 중전력(Medium-Power) 부하를 처리할 수 있다. 게이트 드라이버는 안정적인 스위칭과 낮은 EMI에 최적화되어 있으며, 통합 부트스트랩 다이오드는 하이-사이드 입력을 공급하기 위해 외부 다이오드 및 수동부품을 사용하지 않고도 고전압 스타트 업을 가능하게 해준다.
또 2개의 임베디드 부동 비교기를 갖춰 유연성이 보장되므로 피크 전류 제어 또는 과전류 및 과열 보호 기능을 손쉽게 구현할 수 있다. 포지셔닝 홀-효과(Hall-Effect) 센서와 함께 사용되는 피크 전류 제어는 전용 MCU가 없어도 독립형 컨트롤러로 작동할 수 있어 제어 전자장치의 비용을 대폭 절감해준다.
이외에도 조정 가능한 데드타임 및 MOSFET을 단일 풀-브리지 또는 두 개의 하프-브리지로 구성할 수 있는 옵션을 제공함으로써 유연성을 높인다. 동작전압 범위는 10V에서 20V까지 확장했으며, 입력은 3.3~15V 제어 신호와 호환되어 홀 센서 또는 호스트 마이크로컨트롤러나 DSP와 인터페이스 할 수 있다.
낮은 효율 및 위험한 조건에서의 동작을 방지함으로써 디바이스를 보호하는 교차-전도(Cross-Conduction) 방지 및 UVLO(Under-Voltage Lockout) 기능도 내장되어 있다.
PWD5F60은 현재 멀티-아일랜드(Multi-Island) VFQFPN 패키지로 생산 및 공급 중이며, 디바이스의 가격은 1,000개 주문 시 2.15달러에서 시작한다. 이 디바이스는 현지시간으로 13일부터 16일까지 독일 메세 뮌헨(Messe Munchen)에서 열리는 2018 뮌헨 전자부품박람회(electronica 2018)의 ST 부스(홀 C3/101)에서 전시될 예정이다.