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| 배터리 애플리케이션에서 높은 슬루율 | 채널당 공급 전류 330㎂ 불과 | RFI, EMI 필터 갖춰 마우저 일렉트로닉스가 3월 28일, 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)의 연산 증폭기 TLV9052를 공급한다고 밝혔다. ..

2019.04.02by 이수민 기자

| IH 시리즈, 소프트 스위칭용 TFS IGBT | 가전제품 하프 브리지 회로 등에 맞게 조정 | 175℃ 최대 접합온도 지원하고 열 저항 낮아 ST마이크로일렉트로닉스가 소프트 스위칭(Soft-Switching) 회로의 스위칭 성능과 높은 전도성으로 최적화된..

2019.03.29by 이수민 기자

| 풀 로드 시 시스템 효율 74%에 달해 | 과전압 보호, 저전압 방지 등의 기능 포함 | 시동 시 동축케이블 돌입 전류 최소화 맥심 인터그레이티드 코리아가 전력 장치 4개를 작은 공간에 집적시킨 초소형 오토모티브 4채널 PMIC(Power Managemen..

2019.03.27by 이수민 기자

| 인피니언 IR38164 DC-DC POL 컨버터 | SVID 호환성 및 3비트 PVID 유연성 제공 | POL 레일용으로 PMBus 기능 또한 지원 공간 제한적인 스토리지, 네트워크 통신, 서버, 텔레콤 설계에서는 전력 밀도가 중요하다. 이에 인피니언 테크..

2019.03.26by 이수민 기자

| 1z나노 8Gb DDR4 D램 개발 완료 | 차세대 DDR5/LPDDR5 시장 확대 주도 | 2019년 내 1z나노 D램 라인업 양산 삼성전자가 ‘3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램’을 개발했다고 21일..

2019.03.21by 이수민 기자

| 1414V 절연 전압, 13kV 바이폴라 서지 내성 | 전류 및 전압 센서 제품군, 4개 범주로 최적화 | 빠른 과도변화에 대한 75kV/µs 내성 나타내 실리콘랩스는 19일, 주변 온도 변화에 대한 드리프트가 낮으면서 전류와 전압의 정확한 측정..

2019.03.19by 이수민 기자

| IGBT4에 비해 낮은 도통 손실로 동작 | 최대 과부하 정션 온도, “175°C까지” | 모든 모듈, 프레스핏 기술을 사용 인피니언 테크놀로지스가 1200V TRENCHSTOP IGBT7 및 이미터 제어 EC7 다이오드를 출시..

2019.03.18by 이수민 기자

| 자동차 및 무선 충전 애플리케이션에서 | 메모리 용량 확대와 기능 안전에 대한 | 시장 수요 대응하는 새로운 디바이스 하이엔드 임베디드 컨트롤 애플리케이션을 설계하는 시스템 개발자들은 프로젝트의 복잡성 증가에 따라 확장성을 제공해 줄 ..

2019.03.17by 이수민 기자

| AEC-Q101 준수 SiC MOSFET 10개 출시 | 트렌치 게이트 구조 채용으로 오토모티브 대응 | 로옴, SiC SBD·MOSFET 34개 제품 라인업 구축 최근 전기자동차(EV)의 보급이 확산되고 있으나 항속 거리가 짧다는 점이 주요 ..

2019.03.17by 이수민 기자

| 클라우드 애플리케이션용 라인업 강화 | 7mm 높이 2.5in 폼팩터로 M.2 제품 보완 | 초당 2700MB, 895MB 순차 읽기, 쓰기 성능 도시바 메모리 코퍼레이션이 2.5in 폼팩터 제품을 추가함으로써 대규모 확장 가능한 클라우드 애플리케이션용 &..

2019.03.16by 이수민 기자