e4ds news

2020년 팹 건설 투자규모, 500억 달러에 이른다

2019.09.16by 이수민 기자

SEMI의 최신 전 세계 팹 전망 보고서에 따르면, 2020년에 새롭게 건설을 시작하는 팹에 대한 투자는 올해보다 약 120억 달러 증가한 500억 달러에 이를 것으로 보인다. 2019년 말까지 380억 달러 규모로 15개의 새로운 팹이 건설될 것으로 보이며, 2020년에는 18개의 신규 팹이 건설될 것으로 예상된다. 18개의 팹 중 10개의 팹은 건설 투자 가능성이 높으며 약 350억 달러 이상의 규모이다. 8개의 팹은 건설 투자 가능성은 다소 낮으며 약 140억 달러 규모이다.

어플라이드 머티어리얼즈, 차세대 메모리 3종 'M램, Re램, PC램' 양산 솔루션 출시

2019.09.09by 이수민 기자

AI, 빅 데이터 시대를 맞아 메모리 분야는 나노미터보다 정밀한 옹스트롬 단위의 혁신이 요구되며 다음과 같은 과제를 해결해야 한다. 먼저 AI에 필요한 방대한 양의 데이터를 효율적으로 수집, 처리, 저장, 분석하는 방법을 찾아야 한다. 그리고 IoT를 구성하는 수백억 디바이스의 성능, 전력 효율, 비용 요구사항을 가장 잘 구현할 수 있는 컴퓨팅 아키텍처을 고안해야 한다. 다음으로 클라우드 데이터센터, 에지 디바이스에서 머신 러닝 및 추론 애플리케이션을 위한 칩을 더욱 최적화해야 한다. 마지막으로 소재부터 시스템에 이르는 전반적 솔루션을 파악해야 한다.

바이두, '인텔 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리'에 기반을 둔 인메모리 데이터베이스 설계

2019.09.09by 이수민 기자

처리해야 할 데이터가 폭발적으로 증가하면서 바이두와 같은 인터넷 서비스 제공 기업들은 빠르고 효율적인 데이터 액세스 및 저장을 실현해야만 한다. 인텔과 바이두는 인텔 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리의 대용량 고성능 기능을 활용하기 위해 바이두 피드 스트림 서비스의 인메모리 데이터베이스를 설계한다. 2세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서를 탑재하고 인텔 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리를 바탕으로 한 메모리 플랫폼을 구축함으로써 바이두는 TCO를 낮추면서도 맞춤화된 검색 결과를 사용자에게 제공하게 됐다. 그 외에도 인텔과 바이두는 HPC 워크로드에서 머신러닝 성능을 가속화하는 스토리지 솔루션을 공개했다.

자일링스, 시스템 로직 셀 900만개 탑재한 FPGA 발표

2019.08.22by 이수민 기자

자일링스가 900만개의 시스템 로직 셀을 탑재한 버텍스 울트라스케일+ VU19P FPGA를 출시했다. 350억개의 트랜지스터를 갖춘 VU19P는 단일 디바이스 상에서 높은 로직 밀도와 많은 수의 I/O를 제공함으로써 미래의 ASIC 및 SoC 기술은 물론, 테스트 및 측정, 컴퓨팅, 네트워킹, 항공우주, 방위 관련 애플리케이션 분야의 에뮬레이션 및 프로토타이핑이 가능하다. VU19P는 초당 최대 1.5Tbit의 DDR4 메모리 대역폭 및 초당 최대 4.5Tbit의 트랜시버 대역폭과 2,000개 이상의 사용자 I/O를 갖추고 있다.

D램 속도 혁신의 선봉, HBM2E 출시 "HBM2보다 50% 빨라"

2019.08.19by 이수민 기자

SK하이닉스가 HBM2E D램 개발에 성공했다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다. SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6Gbit/s 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 I/O를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능하다. 이는 FHD급 영화 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.

마이크로칩, '멤브레인 뉴로모픽 메모리 솔루션'으로 임베디드 AI 프로세싱 아키텍처 구축 지원

2019.08.19by 최인영 기자

AI 프로세싱이 클라우드에서 네트워크 에지로 이동함에 따라, 배터리 전력으로 구동하는 고성능 임베디드 디바이스는 컴퓨터 비전, 음성 인식 등과 같은 AI 기능을 수행해야 하는 상황에 직면하고 있다. 마이크로칩 테크놀로지는 자회사인 실리콘 스토리지 테크놀로지를 통해 자사의 아날로그 메모리 기술인 멤브레인 뉴로모픽 메모리 솔루션을 적용하여 소비전력을 대폭 줄임으로써 이러한 상황에 대처할 수 있다고 밝혔다. 슈퍼플래시 기술을 바탕으로 신경망의 VMM 수행에 최적화된 마이크로칩 아날로그 플래시 메모리 솔루션은 아날로그 인메모리 컴퓨팅 접근방식을 통해 VMM의 시스템 아키텍처 구현을 개선하여 에지 디바이스에서의 AI 추론 기능을 끌어올린다.

삼성전자, 차세대 서버용 SSD 및 D램 모듈 양산

2019.08.10by 이수민 기자

삼성전자가 PCIe 4.0 인터페이스 기반의 고성능 NVMe SSD PM1733 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM, LRDIMM을 본격 양산했다. PM1733과 고용량 D램 모듈은 AMD의 2세대 EPYC 프로세서와 함께 신규 서버에 탑재될 예정이다. PM1733은 PCIe 4.0 인터페이스를 지원해 NVMe SSD에서 연속 읽기 8,000MB/s, 임의 읽기 1,500,000 IOPS를 구현한 제품으로 기존 PCIe 3.0 인터페이스 SSD보다 성능이 두 배 이상 향상됐다. 삼성전자의 고용량 RDIMM은 활용할 경우 CPU당 최대 4TB의 메모리를 사용할 수 있다.

삼성전자, '12Gb LPDDR5 양산 시작' 차세대 5G 스마트폰, 44GB 데이터 1초 만에 처리 가능해져

2019.07.22by 이수민 기자

삼성전자가 5G 통신 시대에 맞춰 역대 최고 속도를 구현한 12Gb LPDDR5 모바일 D램 양산에 세계 최초로 성공했다고 밝혔다. 이달 말부터 삼성전자는 2세대 10나노급 12Gb 칩 8개를 탑재한 12GB LPDDR5 모바일 D램 패키지로 차세대 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점하고, 고객들의 공급 확대 요구에 빠르게 대응해 나간다는 방침이다. 12Gb LPDDR5 모바일 D램은 현재 하이엔드 스마트폰에 탑재된 LPDDR4X보다 약 1.3배 빠른 5,500Mb/s의 속도로 동작한다. 이 칩을 12GB 패키지로 구현했을 때 44GB의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다.

SK하이닉스, 128단 4D 낸드 양산… 1테라비트 TLC 낸드 세계최초 상용화

2019.06.26by 이수민 기자

SK하이닉스가 세계 최초로 128단 1테라비트 TLC 4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나선다. 이번에 양산하는 128단 낸드는 한 개의 칩에 3비트를 저장하는 낸드 셀 3천6백억 개 이상이 집적된 1테라비트 제품이다. 이 제품은 TLC 낸드로 1테라비트를 구현했다. 기존에 SK하이닉스를 포함한 다수 업체가 96단 등으로 QLC 1테라비트급 제품을 개발한 바 있으나, TLC로는 SK하이닉스가 처음 상용화했다. 웨이퍼당 비트 생산성이 기존 96단 4D 낸드 대비 40% 향상됐다. 또한 같은 제품에 PUC를 적용하지 않은 경우와 비교해도 비트 생산성이 15% 이상 높다.

차세대 메모리 반도체 MRAM의 속도와 용량 획기적으로 늘릴 가능성 발견

2019.06.10by 이수민 기자

서강대학교 정명화 교수 연구팀은 자성물질 사이에 숨겨진 자기적 상호작용을 규명함으로써 차세대 메모리 반도체인 자성 메모리(MRAM)의 속도와 저장용량을 한 단계 더 발전시켜줄 가능성을 입증했다. 전류를 기반으로 하는 기존 메모리와 달리, MRAM은 전자의 스핀에 의한 자성을 이용한다. 두 개의 자성물질에서 자화 방향이 같거나 반대일 때 0 또는 1의 정보가 기록된다. 많은 장점에도 불구하고 자화 방향을 바꿀 때 필요한 소비 전력이 크다는 한계가 있다. 연구팀은 자성물질에서 대칭적 상호작용에 의한 두 가지 자화 방향(동일/반대 방향)뿐 아니라 비대칭적 상호작용에 의한 자화 방향도 있음을 발견했다. 3차원 스핀 구조에 정보를 저장함으로써 MRAM의 속도와 용량을 크게 개선할 수 있게 되었다.

많이 본 뉴스