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설계 간소화·무소음 동작·친환경 규제 충족 세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 설계 단순화, 무소음 동작, 고효율 전력 관리라는 세 가지 핵심 가치를 ..

2025.11.04by 배종인 기자

하프 브리지 게이트 드라이버 출시 세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 저전압 GaN 설계를 간소화하고, 고성능 전력 시스템 개발을 지원하는 데 본격 나섰다. ST는 산업 ..

2025.10.27by 배종인 기자

실리콘比 작은 폼팩터에서 높은 에너지 효율, 시스템 비용 절감 기여 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표 이승수)가 업계 최초로 자동차 등급의 100V GaN 트랜지스터를 출시하며, 전기차·SDV 시장 공략을 가속화한다. ..

2025.10.16by 배종인 기자

▲300㎜ 기판 위 GaN HEMT용 개발 마스크 세트 차세대 전력 전자 소재 개발·제조 비용 절감 기대 세계적인 나노전자 및 디지털 기술 연구기관 Imec이 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨)의 300㎜ 웨이퍼 전환을 ..

2025.10.13by 배종인 기자

▲ETRI 이형석 책임연구원이 ‘2025 e4ds Tech Day’에서 발표하고 있다. 美·獨·中 등 주요 국가 전력 반도체 자국 생산 강화, 中 공격적 투자 냉각장치 부담 덜어 AI 데이터..

2025.09.30by 배종인 기자

▲텍사스 인스트루먼트 김승목 차장이 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 발표하고 있다. 600∼650V급 전압서 12㎒까지 스위칭 전력 밀도 획기적 높여 TI 통합 모듈 형태 발전, 하나의 패키지로..

2025.09.29by 배종인 기자

“GaN 차량용 전력 시스템 새로운 가능성 연다” 200∼500V 전원계 최적 효율, 50W∼25kW 폭넓은 스케일링 높은 스위칭 주파수 통해 전력밀도·시스템 소형화 동시 실현 [편집자 주]..

2025.08.28by 배종인 기자

200㎜ 대비 2.3배 더 많은 칩 생산, 생산 효율성·원가 경쟁력 동시 달성 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 300㎜ 웨이퍼 기반 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 반도체 생산을 본격 가동하며 시장 지배력을..

2025.07.03by 배종인 기자

1.8V 전원에서도 1% 오차는 치명적 시스템 중단 시키는 파워레일 노이즈 해결책은? 리니어 전원에서 스위칭 전원으로, 실리콘에서 WBG 반도체(GaN·SiC)로의 전환이 빠르게 진행되며 전원 무결성(Power Integrity)이 전력전자 설계의 ..

2025.06.09by 명세환 기자

NI, SiC·GaN 전력반도체 위한 고온 다이나믹 테스트 시스템 상용화 EV 산업 신뢰성 평가 기준 새로 쓴다 전기차용 파워 반도체 시장에서 와이드 밴드갭(WBG) 소자에 대한 수요가 빠르게 확대되며, 테스트 방식 ..

2025.06.09by 명세환 기자