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200㎜ 대비 2.3배 더 많은 칩 생산, 생산 효율성·원가 경쟁력 동시 달성 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 300㎜ 웨이퍼 기반 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 반도체 생산을 본격 가동하며 시장 지배력을..

2025.07.03by 배종인 기자

1.8V 전원에서도 1% 오차는 치명적 시스템 중단 시키는 파워레일 노이즈 해결책은? 리니어 전원에서 스위칭 전원으로, 실리콘에서 WBG 반도체(GaN·SiC)로의 전환이 빠르게 진행되며 전원 무결성(Power Integrity)이 전력전자 설계의 ..

2025.06.09by 명세환 기자

NI, SiC·GaN 전력반도체 위한 고온 다이나믹 테스트 시스템 상용화 EV 산업 신뢰성 평가 기준 새로 쓴다 전기차용 파워 반도체 시장에서 와이드 밴드갭(WBG) 소자에 대한 수요가 빠르게 확대되며, 테스트 방식 ..

2025.06.09by 명세환 기자

실리콘의 한계 넘는 전력 혁신, 인피니언 CoolGaN™이 이끈다 조용규 전무 “실제 설계 현장서 GaN은 이제 선택 아닌 필수” “실리콘 기반 전력 소자의 물리적 한계는 이미 오래전부터 예고된 바 있습니..

2025.05.29by 명세환 기자

최신 GaN 하프 브리지 드라이버 출시 세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 GaN(Gallium Nitride) 하프 브리지 드라이버를 출시하며, 컨슈머 및 산업 애플리케..

2025.05.19by 배종인 기자

글로벌 HVAC 시장, WBG로 효율 장벽을 넘는다 원션트 제어 한계를 깨는 iMOTION™, 소음 저감 새 해법 제시 전 세계적으로 에너지 절감 압력이 커지는 가운데, 가장 주목받는 산업 분야 중 하나가 바로 HVAC(냉난방) ..

2025.05.09by 명세환 기자

추진 시스템·태양광 패널 입력 전력 변환 적합 텍사스 인스트루먼트(TI)가 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준을 지원하는 우주 등급의 200V GaN FET 게이트 드라이버를 출시하며, 모든 ..

2025.02.25by 배종인 기자

EV 캐즘 현상 확대, SiC 제조사 평가 절하 재생에너지·ESS·AI향 순환 시장 개척 기대 美 울프스피드 위기, 8인치 SiC 시장 단 ‘2%’ 전기차 수요 저하와 선제적인 화합물 반도체 ..

2025.02.10by 권신혁 기자

로옴 GaN 디바이스·TSMC GaN-on-Silicon 프로세스 융합 로옴(ROHM) 주식회사와 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(TSMC)가 오토모티브용 GaN ..

2024.12.12by 배종인 기자

GaN 기반 X-대역 고출력 송수신 모듈의 FEM 핵심부품 개발 웨이비스가 국방기술진흥연구소에서 주관하는 총 64억원 규모의 ‘차세대 방공무기체계 레이더용 X-대역 FEM (프론트엔드 모듈) 연구개발 과제’ 수행업체로 선정됐다..

2024.11.05by 권신혁 기자