2019.06.17by 이수민 기자
차량용 인포테인먼트와 스마트폰 애플리케이션에 대한 수요가 증가함에 따라 많은 자동차 OEM은 위한 신뢰성 높고 편리한 연결성을 제공하는 동시에 시스템 비용을 최적화해야 하는 부담을 안게 되었다. 이에 마이크로칩 테크놀로지는 USB 2.0 스마트 허브 IC 제품군에 새로운 단일 포트 제품들을 추가로 출시하여, 자동차 OEM의 다양한 개발 요건에 맞춘 옵션들을 제공한다. 단일 포트 구현에 필요한 기능을 제공하는 USB4912와 USB4712는 무선 통신, 차량 중앙 콘솔이나 무선 충전 구현에 따라 단일 포트를 추가하는 데 적합하다.
2019.06.14by 이수민 기자
기기들이 소형화되면서 많은 제품들이 마이크로 스피커를 사용하고 있다. 스피커가 작아지면 음량이나 음압 레벨이 낮아지고 공진 주파수는 증가해 저음대역이 약해진다. 맥심 인터그레이티드는 마이크로 스피커의 사운드를 더 크고 풍부하게 효율적으로 전달하기 위해 DSM 알고리즘을 통합한 스마트 증폭기 MAX98390을 출시했다. MAX98390은 1~3W 초전력 정격의 소형 스피커를 최대 5.1W까지 높은 전력으로 안전하게 구동시킨다. 기존 5V 증폭기보다 최대 2.5배 더 큰 음량과 2옥타브 더 낮은 저음을 전달함으로써 오디오 성능을 극대화한다.
텍사스 인스트루먼트는 CAN FD 컨트롤러와 트랜시버를 통합한 자동차용 시스템 기반 칩 제품을 출시한다고 밝혔다. TCAN4550-Q1은 차량 내 네트워크의 높은 대역폭과 데이터 전송 속도의 유연성에 대한 요구사항을 충족하도록 설계되었으며, 어떠한 마이크로컨트롤러의 SPI 버스 전송방식에서도 하드웨어 변경을 최소화해서, CAN FD 인터페이스를 구현하거나 버스 포트 수를 확장할 수 있다. 이번에 공개되는 TCAN4550-Q1 SBC를 통해 엔지니어들은 차체 제어 및 조명, ADAS, 자동차 게이트웨이 디자인을 기존 마이크로컨트롤러 기반 아키텍처를 그대로 유지하면서 CAN FD으로 간편하게 업그레이드 또는 확장할 수 있다.
2019.06.13by 이수민 기자
MRAM, PCRAM, ReRAM 3종의 새로운 메모리가 수십 년 연구 끝에 상용화 단계로 접어들면서 반도체와 컴퓨팅 산업에 호재가 되고 있다. 이 3가지 메모리를 생산하기 위해서는 새로운 소재가 필요하며, 공정 기술 및 제조 분야 혁신을 필요로 한다. 이상적인 반도체 메모리는 빠른 읽기 속도, 빠른 쓰기 속도, 랜덤 액세스, 저비용, 3D 확장성, 저전력, 비휘발성, 높은 내구성, 높은 온도 허용오차, 멀티 비트 저장을 위한 멀티 스테이트와 같은 특징들을 모두 제공해야 한다. 현재 어떤 메모리도 이를 모두 제공하지 않는다. 그리고 MRAM, PCRAM, ReRAM과 같은 신종 메모리는 이를 보완할 주요 후보다.
내쇼날인스트루먼트 테솔브, 존스테크와 공동으로 개발한 쿼드 사이트 mmWave 5G 패키지 테스트 솔루션을 공개했다. mmWave 5G 패키지 테스트 솔루션의 핵심 구성품 중 하나는 NI의 반도체 테스트 시스템이다. NI는 최근 5G 전력 증폭기, 빔 형성기, 송수신기에 대한 멀티사이트 mmWave 테스트 기능을 추가했다. 모듈형 mmWave 라디오헤드가 있는 소프트웨어와 베이스 밴드/IF 계측을 재사용할 수 있는 모듈성이 특징이자 강점으로 향후 mmWave 주파수 대역도 처리 가능하다.
2019.06.12by 이수민 기자
자동화되고 자율적인 시스템 사용이 증가하면서 공장에서 반복적이고 복잡한 수작업을 처리하는 노동력에 대한 의존도가 줄어들고 있다. 반도체는 새로운 시대의 산업 자동화 장비의 중심에 있으며, 커넥티드 환경을 효율적으로 운영하는 데 필요한 프로세싱, 제어 및 감지 기능을 제공한다. 반도체 제조사는 센싱, 신호 컨디셔닝, 디지털 신호 처리, 유선 및 무선 연결, 소프트웨어 분야의 전문지식을 바탕으로 산업 고객이 직면한 과제를 파악해 OEM의 제품 출시 기간을 단축할 수 있게 하는 애플리케이션 중심의 솔루션을 개발해야 한다. 또 고객이 기술 혁신을 이루고, 다가오는 미래를 준비할 수 있게 지원하는 한편, 기존 시스템을 지속적으로 활용할 수 있도록 산업용 부품을 장기적으로 공급할 수 있어야 한다.
SEMI의 최신 세계 팹 전망 보고서에 따르면, 2019년의 전 세계 팹 장비 투자액은 전년대비 19% 하락하여 484억 달러로 예상되며 2020년은 약 20% 상승하여 584억 달러에 달할 것으로 보인다. 올해 초에 SEMI가 발표한 2019년 팹 장비 투자액 성장률 전망은 -14%에서 -19%로 조정되었으며, 2020년 전망은 27%에서 20%로 하향 조정되었다. 2020년 전 세계 팹 장비 투자액은 20%의 높은 성장세에도 불구하고, 2018년 투자액 대비 약 20 억 달러 정도를 밑돌 것으로 보인다. 메모리 분야는 2019년 전체 팹 장비 투자액 감소량의 45% 가량을 차지하여 전반적인 투자액 하락의 주요 요인이 될 것으로 보인다.
2019.06.10by 이수민 기자
서강대학교 정명화 교수 연구팀은 자성물질 사이에 숨겨진 자기적 상호작용을 규명함으로써 차세대 메모리 반도체인 자성 메모리(MRAM)의 속도와 저장용량을 한 단계 더 발전시켜줄 가능성을 입증했다. 전류를 기반으로 하는 기존 메모리와 달리, MRAM은 전자의 스핀에 의한 자성을 이용한다. 두 개의 자성물질에서 자화 방향이 같거나 반대일 때 0 또는 1의 정보가 기록된다. 많은 장점에도 불구하고 자화 방향을 바꿀 때 필요한 소비 전력이 크다는 한계가 있다. 연구팀은 자성물질에서 대칭적 상호작용에 의한 두 가지 자화 방향(동일/반대 방향)뿐 아니라 비대칭적 상호작용에 의한 자화 방향도 있음을 발견했다. 3차원 스핀 구조에 정보를 저장함으로써 MRAM의 속도와 용량을 크게 개선할 수 있게 되었다.
인피니언 테크놀로지스가 TO247-2 패키지로 제공되는 CoolSiC 쇼트키 1200V G5 다이오드를 출시했다. 신제품은 기존 실리콘 다이오드를 CoolSiC 다이오드로 교체하여 더욱 높은 효율을 달성했다. 8.7mm로 늘어난 연면거리와 공간거리는 오염이 심한 환경에서도 안전성을 높인다. 최대 40A의 정격 전류를 제공하여 EV DC 충전, 태양광 에너지 시스템, UPS, 여타 산업용 애플리케이션에 적합하다. 실리콘 IGBT 또는 수퍼 정션(super-junction) MOSFET과 CoolSiC 쇼트키 1200V G5 다이오드를 사용하면 실리콘 다이오드를 사용할 때보다 효율을 최대 1%까지 높일 수 있다.
2019.06.08by 이수민 기자
서울대학교 박남규 교수, 유선규 박사, 박현희 박사 연구팀이 고속 연산 AI 구현을 위해, 두뇌의 기본 단위인 뉴런의 동작을 빛의 흐름으로 모사하는 데 성공했다. 최근 반도체 전자회로의 나노 공정이 수 나노미터로까지 미세화됨에 따라 발열과 속도의 한계는 반도체 소자의 성능 향상에 근본적인 제약이 되고 있으며, 이는 뉴로모픽 반도체 전자회로 구현에도 궁극적인 제한요소가 될 것으로 예상된다. 반면 전자가 아닌 빛으로 연산하는 뉴로모픽 소자는 발열이 없는 저전력 및 초고속 동작이 가능하다는 점에서 MIT, 스탠퍼드 대학 등 세계 각지의 연구기관에서 연구를 진행하고 있다. 연구진은 패리티-시간 대칭이라는 특이한 물리적 대칭성을 만족하는 증폭·손실 물질에 시간 대칭성을 제어하는 비선형성을 추가한 메타물질을 활용하여,..
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