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인피니언, 전기차 트랙션 인버터용 모듈 공개 SiC 트렌치 MOSFET 채택, 셀 밀도 높여 AQG324 자동차 전력 모듈 표준 준수 인피니언 테크놀로지스는 11일, CoolSiC™ MOSFET 기술을 채택한 새로운 자동차용 전력 모듈을 오는 6..

2021.05.12by 명세환 기자

차세대 전력 반도체, SiC 및 GaN 등 WBG 주목 SiC, 전기차·태양광 등 친환경 에너지 활용에 적합 韓, 전력 반도체 90% 해외 의존 "설계 R&D 절실" 전력 반도체는 전기를 활용하기 위해 직류(DC) 및 ..

2021.04.26by 이수민 기자

▲한국전기연구원 전력반도체연구센터 (왼쪽부터)나문경, 문정현, 방욱, 강인호, 김형우 박사 칩 크기 줄이는 기술, 공급부족 해소 기여 원천기술 예스파워테크닉스 20억 기술이전 SiC(Silicon Carbide, 탄화규소) 전력반도..

2021.04.21by 배종인 기자

ST ISOSD61 및 ISOSD61L 시그마델타 변조기 16bit 분해능의 ADC, 86dB의 SNR 공통 제공 소형 션트 저항으로 디스크리트 전류 센서 대체 ST마이크로일렉트로닉스는 1일, 갈바닉 절연의 ‘ISOSD61, ISOSD..

2021.04.01by 강정규 기자

다양한 전력 애플리케이션과 토폴로지에서의 SiC FET 및 쇼트키 다이오드 성능 평가 등록 없이 사용 가능, 조언도 제공 유나이티드SiC는 18일, FET제트 칼큘레이터(FET-Jet Calculator™)를 출시했다. 사용자는 다양한 전력 애플..

2021.03.19by 강정규 기자

SiC, GaN 기반의 WBG 반도체, 채택 늘고 있어 5G, EV 이어 클라우드, AI 분야 수요 증가 추세 온세미, SiC 공정 개발 완료... SiC 기판 개발 중 기존 실리콘(Si) 소재 기반 반도체보다 높은 전압을 허용하고, 손실도 낮은, 실리콘..

2021.03.13by 이수민 기자

KERI, SiC 결함 분석 및 평가기술 개발 눈에 보이지 않는 SiC 결정 결함 조기 관찰 에타맥스와 장비 개발, 日장비 가격 절반 최근 전력반도체 소재로 실리콘(규소; Si)보다 내구성, 범용성, 효율성이 우수한 실리콘카바이드(탄화규소; SiC)가 주목..

2021.03.10by 이수민 기자

온세미, 650V SiC MOSFET 제품군 공개 자동차 신뢰성 표준인 'AEC-Q101' 준수 박형 웨이퍼 기반 활성 셀 설계법 채택 온세미컨덕터는 18일, 새로운 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 공개했다. 기존 실리..

2021.02.19by 강정규 기자

650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트, 인피니언 650V TRENCHSTOP 5 IGBT 및 유니폴라 구조 쇼트키 배리어 CoolSiC 결합 인피니언 테크놀로지스는 17일, 650V CoolSiC™ 하이브리드 IGBT 디스크리트 ..

2021.02.18by 강정규 기자

유나이티드SiC 750V 지원 4세대 SiC FET 4종, 하드 스위칭 시 턴 온/오프 손실 저감하고 소프트 스위칭 시 낮은 전도 손실 제공 유나이티드SiC는 8일, 4세대 실리콘카바이드(SiC) FET 기술 플랫폼을 기반으로 하는 750V SiC FET ..

2021.02.12by 강정규 기자