2025.06.02

실리콘의 한계를 넘다, CoolGaN™이 이끄는 고효율 전력 설계 혁신 실리콘 기반 전력 반도체의 물리적 한계가 도래한 지금, 산업계는 더 빠르고 작으며 효율적인 대안을 모색하고 있다. 인피니언의 CoolGaN™ 기술은 이러한 요구에 대응하는 핵심 솔루션으로...   차세대 전력 반도체의 동작 보장과 고장 메커니즘 분석을 위한 새로운 접근법 전기차 시장의 고속 성장과 더불어, SiC·GaN 기반 와이드 밴드갭(WBG) 전력 반도체는 고효율·고온 환경에서의 성능을 바탕으로 핵심 부품으로 자리잡고 있다. 이제는 단순한 정적 테스트가 아닌....

6월의 핫 이슈     ST, 컨슈머·산업 전력 변환·모션 제어 최적화 세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 STDRIVEG610과 STDRIVEG611 고전압 GaN(Gallium Nitride) 하프 브리지 드라이버를 출시하며, 컨슈머 및 산업 애플리케이션의....     로옴, SiC 기술로 신재생에너지 기술 혁신 선도 태양광 발전 및 축전 시스템 분야의 글로벌 기업인 SMA 솔라 테크놀로지 AG가 최신 태양광 시스템 ‘Sunny Central FLEX’에 로옴(Rohm)의 2kV SiC MOSFET을 탑재한 세미크론 댄포스의 파워 모듈을 채용했다.       “전원 회로 설계, 부품 특성·설계 목적 명확히 알아야” 전원 회로 설계시 개발자가 설계 목적에 맞는 부품을 정확히 사용해야 비용 효율적이고, 목적에 맞는 최적의 성능을 내는 제품을 개발할 수 있다.

지난 뉴스레터 더보기   e4ds+ 구독하기   경품당첨확인