ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 6kV의 갈바닉 절연을 제공해 컨슈머 및 산업용 애플리케이션의 안전을 보장하는 절연 게이트 드라이버 STGAP2SiCS를 추가했다.
2021.04.02by 배종인 기자
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정부가 실리콘 대비 전력 효율, 내구성이 뛰어난 △실리콘카바이드(SiC) △질화갈륨(GaN) △갈륨옥사이드(Ga2O3) 3대 신소재 반도체 개발에 본격 박차를 가하며, 반도체 소자, 모듈, 시스템 연계 통합 밸류체인 강화에 나선다.
2021.04.01by 배종인 기자
맥심 인터그레이티드의 DC-DC 파워모듈 이용시 설계 시간 및 설계 복잡성을 감소시켜 설계 편의성을 향상시켜, 비용을 절감 시킬 수 있다.
2021.04.01by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 2차측 갈바닉 절연의 ISOSD61 및 ISOSD61L 시그마델타 변조기를 출시했다. ISOSD61은 TTL/CMOS 호환 클럭 입력과 데이터 출력 신호 레벨을 갖추고 있으며, ISOSD61L은 LVDS와 호환된다. 두 디바이스 모두 86dB의..
2021.04.01by 강정규 기자
GAN 스위칭 디바이스를 병렬로 연결할 때, 스위치들의 게이트로 대칭을 이루지 않으면 디바이스 간에 전류 공유가 불균등해질 뿐만 아니라, 전류 흐름에 회로 기생 성분들이 혼합되어, 바람직하지 않은 고주파 발진을 일으킬 수 있다. 이는 전자기 적합성(EMC) 요건을 미충..
2021.03.31by 명세환 기자
전자제품 개발/출시 일정이 갈수록 짧아지고 있다. 전원 설계 역시 제한된 시간의 영향으로 시장의 초소형, 고성능, 저전력 설계에 대한 요구에 적절하게 대응하지 못하고 있다. DC-DC 전력 디바이스 주변에서 일반적으로 사용되는 부품들을 포함하는 동시에 크기와 전력 손실..
2021.03.30by 이수민 기자
차세대 D램 규격, DDR5는 DDR4 대비 성능이 2배다. 데이터 전송 속도가 7200Mbps 수준에 이르러 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있다. 삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술을 D램 최초로 적용한 업계 최대 용량의 512GB DD..
2021.03.29by 이수민 기자
ADI가 O-RAN 호환 5G 무선 장치용 ASIC을 기반으로 하는 무선 플랫폼, 라디오버스를 발표했다. 해당 플랫폼은 베이스밴드 ASIC, 소프트웨어 정의 트랜시버, 신호 처리, 전원장치 등 O-RAN 호환 5G 무선 장치에 필요한 기능들을 통합하고 있다. 또한, 성..
2021.03.26by 이수민 기자
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인터넷 연결로 자사 제품의 기능을 높이고, 기존에는 없었던 서비스를 창출하여 비즈니스 모델의 다각화를 시도하는 기업이 늘고 있다. 여기에 첫발을 내디딘 것은 IT 기업들이며, 제조 기업들 역시 적극적으로 나서고 있다. 그 중심에는 IoT 플랫폼이 있다. IoT 플랫폼이..
2021.03.22by 이수민 기자
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