SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

ROHM / 이성진 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

장*수2024-09-05 오후 1:00:39
감사합니다.
최*완2024-09-05 오전 11:40:49
고맙습니다. ^^
e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다. 유익한 시간 되셨길 바랍니다^^
최*휴2024-09-05 오전 11:40:35
업무에 무척 도움이 되는 세미나 이였습니다. 다만 질문드린 부분에 대해 답변 부탁 드립니다. 감사합니다.
김*민2024-09-05 오전 11:38:38
감사합니다.
e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다^^
김*식2024-09-05 오전 11:36:24
좋은 정보 감사합니다
e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다^^
김*태2024-09-05 오전 11:34:27
유익한 내용 감사드릡니다.
e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다^^
남*완2024-09-05 오전 11:31:58
수고하셨습니다~.
e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다^^
최*완2024-09-05 오전 11:31:45
죄송합니다. 시뮬레이션에서의 정션온도 질문에 이어 했기 때문에 실제 하드웨어의 정션 온도는 어떻게 추정/측정하는지에 대한 질문이었는데 질문글 문구가 오해의 여지가 있었습니다. 위 답변은 회로 전류, 전압을 측정하여 시뮬레이션과 비교해 정션 온도를 추정하는 것으로 이해하면 되는지요?
ROHM12024.09.05
실제 하드웨어의 동작 파형으로 디바이스 소모 전력을 계산한 후에, 실제 하드웨어의 방열 구조 정보를 Flotherm이라는 열분석 툴에 넣어 열저항을 산출하면, 정션 온도를 추정할 수 있습니다. 실제 하드웨어에서는 히트싱크의 온도를 기준으로 하거나, 디바이스의 Top mold면 혹은 Bottom면의 온도를 기준으로 삼는다면, 그에 대한 열저항을 통해 정션 온도 계산이 가능합니다.
주*선2024-09-05 오전 11:30:59
많은 참고가 되었습니다 수고하셨습니다
e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다^^ 유익한 시간 되셨길 바랍니다!
조*나2024-09-05 오전 11:30:43
좋은 내용 감사합니다~
e4ds2024.09.05
유익한 시간 되셨길 바랍니다!