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150㎚ GaN 설계 키트 공개·칩 제작 서비스 시행 차세대 반도체 기술 방산·6G·위성 등 자립화 기대 국내 연구진이 처음으로 150나노 질화갈륨(GaN) 반도체 기술 국산화를 위한 파운드리 시..

2024.04.05by 배종인 기자

前 세대 比 MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선·품질 및 신뢰성은 유지 전기차 DC 급속 충전기에 사용 시 전 세대 比 전력 손실 최대 10% 감소 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 이전 세대 대비 저장 에너지와 ..

2024.03.11by 성유창 기자

▲Ezgi Dogmus Yole 그룹 애널리스트가 발표하고 있다 2022년 430억불 규모 車 반도체, 2028년 840억3,000만불 성장 전망 2028년 100억불 xEV 파워 반도체 디바이스, SiC MOSFET 56억불 차지 GaN, 파워..

2024.02.01by 성유창 기자

▲차세대 통합 갈륨 나이트라이드(GaN) 브리지 디바이스 MasterGaN1L·MasterGaN4L 출시(이미지:ST) 차세대 통합 GaN 브리지 디바이스 제품군 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 S..

2024.01.15by 권신혁 기자

▲2023 대한민국 산업기술 R&D 대전에서 2024년 산업기술 R&D 과제기획 공청회가 진행됐다. KEIT, “산업계, 초격차 R&D에 70% 지원” “나눠주기식, 갈라치기식, 뿌려주기식 배제&..

2023.12.07by 권신혁 기자

▲저전력 GaN 포트폴리오 확장으로 ACDC 전원 어댑터 크기 50% 축소(사진:TI) AC/DC 크기 절반, 열 설계 간소화 가능 텍사스 인스트루먼트(TI)가 1일 저전력 질화 갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 발표했다. ..

2023.12.01by 권신혁 기자

▲디엠지모리코리아 오픈하우스 2023 디엠지모리코리아 오픈하우스 개최 Si·SiC 소재 적용 가능한 정밀 가공 “화합물 소재 日 선도, 韓 육성 必” 실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 나이트라이드(G..

2023.11.21by 권신혁 기자

▲요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO (사진 제공: 인피니언) GaN 기반 전력 변환 솔루션·첨단 애플리케이션 노하우 확보 GaN, 에너지 효율 향상·이산화탄소 절감 솔루션 구현에 중요 인피..

2023.10.26by 성유창 기자

▲GaN RF 장치 시장 전망(자료:마켓앤드마켓) GaN RF 2023년 15억불 → 2028년 28억불 성장 高 항복 전압-전자 이동성·낮은 스위칭 손실 이점 GaN 글로벌 업체들 리딩, 국내 3사 G..

2023.08.04by 권신혁 기자

갈륨, GaN·Ga2O3 전력반도체 사용·국내 개발단계 반도체용 GeH4, 전량 수입 불구 미국 등 다변화 GeH4 GAA 공정 등 차세대 반도체 공정 수요 증가 중국의 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge) 수출통제가 시작된 8월1일 이후 국..

2023.08.03by 배종인 기자