| SCT3xxx xR, 트렌치 게이트 구조 채택
| TO-247-4L로 TO-247N보다 35% 손실↓
| 평가보드 P02SCT3040KR-EVK-001 제공


AI와 IoT가 전 산업계로 확산되면서 클라우드 서비스와 데이터 센터의 수요가 계속 늘고 있다. 데이터 센터 등에서 사용되는 서버의 경우, 대용량화 및 고성능화가 추진됨에 따라 소비전력량을 얼마나 저감할 수 있는지가 과제로 떠오르고 있다.

지금까지 서버의 전력 변환 회로에서는 실리콘(Si) 디바이스가 주류를 이루고 있었지만, 손실이 더 적은 실리콘카바이드(SiC) 디바이스가 주목을 받고 있다.

TO-247-4L 패키지를 채용한 SiC MOSFET는 기존 패키지에 비해 스위칭 손실을 저감할 수 있어 서버 및 기지국, 태양광 발전 등지의 고출력 애플리케이션에서의 채용이 기대되고 있다.

로옴이 이에 고효율이 요구되는 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 적합한 트렌치 게이트 구조의 650/1200V 내압 SiC MOSFET인 ‘SCT3xxx xR 시리즈’ 6종을 출시했다.

SCT3xxx xR 시리즈는 4단자 패키지(TO-247-4L)를 채용했다.

기존 TO-247N 패키지는 소스 단자가 지닌 인덕턴스 성분으로 인해 게이트 전압이 저하되어, 스위칭 속도가 지연됐다.

반면 TO-247-4L은 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리할 수 있어 인덕턴스 성분으로 인한 영향을 억제할 수 있다.

특히 턴온(turn-on) 시 손실이 개선됐다. 턴온 손실과 턴오프(turn-off) 손실을 통틀어, 기존 제품 대비 약 35％의 손실 저감이 가능하다.

로옴은 SiC 디바이스의 구동에 적합한 자사의 게이트 드라이버 IC(BM6101FV-C) 및 각종 전원 IC, 디스크리트 제품을 탑재한 SiC MOSFET 평가보드 ‘P02SCT3040KR-EVK-001’도 출시했다.

동일 조건에서의 평가 환경을 제공하기 위해, TO-247-4L 패키지 제품뿐만 아니라 TO-247N 제품의 실장도 가능하다. 개발자는 평가보드를 통해 더블 펄스 시험, 부스트 회로, 2레벨 인버터, 동기정류 타입 벅 회로 등의 평가를 할 수 있다.

한편, SCT3xxx xR 시리즈는 8월부터 월 50만개의 생산 체제로 순차적 양산을 개시했다.