SiC MOSFET을 이용한 고효율 인버터 설계 및 보호 기능 소개

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

김*문2020-08-20 오전 10:35:41
[질문] Si와 SiC의 전압, 전류 용량이 같을 경우 가격차이는 어떻게 되나요?
Infineon_12020.08.20
가격은 전류에 따라서 천차만별입니다. 또한 소자가 들어있는 패키지에 따라서도 차이가 많이 날수 있습니다. (큰 패키지 소자의 경우 칩의 가격도 있지만 패키지의 가격도 적지가 않음)
정*호2020-08-20 오전 10:35:17
SiC-MOSFET은 높은 게이트 전압일수록 낮은 ON 저항을 얻을 수 있다 라고 하는데요, (FET 마다 다르긴 할텐데) 보통 Vgs를 몇 정도로 주는지요? 보통 IGBT에서는 Vgs를 10~15V인걸로 압니다.
Infineon_22020.08.20
SiC MOSFET은 보통 Vgs를 15~18V 입니다. 18V에서 Rds(on)이 작아지므로 18V를 권장합니다.
윤*은2020-08-20 오전 10:34:17
SiC driver의 노이즈 영향 오동작을 줄이는 방안을 소개바랍니다
Infineon_12020.08.20
drive IC쪽 노이즈면 c*dv/dt 로 인한 게이트 오동작을 말씀하시는건지요? SiC MOSFET은 dv/dt가 빠르기 때문에 상단이나 하단 스위칭시에 반대쪽 게이트가 같이 켜질수 있으며 대략적으로 4가지 방법을 사용합니다. 1) Rg_on을 키워서 dv/dt 를 느리게 2) Rg_off를 줄여서 발생한 에너지를 빠르게 방출 3) active miller clamp 기능으로 Rg_off를 거치지 않고 에너지를 빠르게 방출 4) Cgs를 추가 (손실이 커져서 가능하면 다른방법 사용) 혹시 다른 노이즈를 말씀하시는거면 말씀해주세요
이*광2020-08-20 오전 10:33:40
안녕하세요
Infineon_12020.08.20
반갑습니다!
성*웅2020-08-20 오전 10:32:56
안녕하세요. 좋은 세미나 기대합니다.
Infineon_12020.08.20
참석해 주셔서 감사합니다 유익한 시간 되시길 바랍니다~ ^^
e4ds2020.08.20
참석해 주셔서 감사합니다^^
박*철2020-08-20 오전 10:32:46
안녕하세요
Infineon_12020.08.20
반갑습니다~ ^^
e4ds2020.08.20
반갑습니다~
박*상2020-08-20 오전 10:32:05
시작했나요? 화면이 안보이네요
e4ds2020.08.20
아직 안보이시나요? 재생 버튼 클릭 부탁드리겠습니다.
김*주2020-08-20 오전 10:31:17
[질문] 기존의 Si 인버터와 SIC 인버터의 효율 차이는 얼마나 되는지요?
Infineon_12020.08.20
대략적으로 스위칭 손실이 80% 정도 절감된다고 볼수 있습니다 도통 손실은 전류와 Rds_on에 따라 다를수 있습니다. 그로인해 스위칭 주파수를 높게 올리면서도 효율을 기존처럼 유지할수도 있고 동일 스위칭 주파수를 사용하면 손실이 줄어서 효율을 올릴수 있습니다.
김*오2020-08-20 오전 10:31:04
아직 시작전인가요?
Infineon_12020.08.20
지금 막 시작했습니다 ^^
김*문2020-08-20 오전 10:30:33
안녕하세요!
Infineon_12020.08.20
안녕하세요~ ^^