자동차용 전력 분야 설계자들을 위한 MOSFET 특성 이해와 인피니언 MOSFET의 신뢰성 소개

Infineon / 문창수 상무

웨비나정보 웨비나Q&A

이*훈2020-07-14 오전 10:51:56
안녕하세요 SiC와 Si 구조는 아예 다른가요? 그리고 인피니온에서는 GaN으로 구성된 FET를 어떻게 생각하는지 궁금합니다.
Infineon_32020.07.14
구조는 비슷합니다. GaN도 이미 출시중이고, GaN의 경우 구조는 상당히 다릅니다.
이*혁2020-07-14 오전 10:51:44
동일한 전류 용량 소자중 가장 온도 조건에 적절한 소자는 Ron이 적은 소자라는 말인거죠? 그럼 무조껀 적은 소자를 선택하면되는건가요? 적은대신 trade off되는 부분은 무엇이 있을까요?
Infineon_32020.07.14
가격입니다. Rds가 적으면 die size가 클 가능성이 많고 같은 technology FET에서 가격이 더 비쌀 것입니다.
이*혁2020-07-14 오전 10:51:11
FET 병렬 연결시 게이트 저항을 개별로 사용하나요? 아니면 하나의 게이트 저항만 사용하나요??
Infineon_32020.07.14
게이트 저항은 반듯시 각각 개별로 사용해야 합니다.
이*혁2020-07-14 오전 10:50:17
FET 내압이 높을수록 Rdson이 크게 증가하는 이유는 절연 거리와 관계 있나요?
Infineon_32020.07.14
네..공핍층 영역등의 증가와 관련있습니다.
정*춘2020-07-14 오전 10:50:07
안녕하세요. 잘 듣고 있습니다. 웨비나 강의 자료는 다운이 되는지요?
e4ds2020.07.14
안녕하세요. 아쉽게도 이번웨비나의 강의자료는 제공되지 않습니다.
김*용2020-07-14 오전 10:49:42
[질문] 온도가 높은 곳에서 MOSFET을 적용하면 내부저항 값이 많이 커지는지요? 성능에 온도 영향이 큰지요?
Infineon_32020.07.14
온도에 따라 성능이 차이가 많이 납니다. 데이타시트에 온도에 따라 특성 그래프를 제공합니다. Rds(on)이 특히 영향이 많은 파라메타입니다.
이*우2020-07-14 오전 10:49:22
아까는 drain current를 Tc로 계산했는데 지금은 Ta로 하나요??
Infineon_32020.07.14
Tc나 Ta를 사용해서 할 수 있습니다. Tc의 경우 Rthjc를 사용하고 Ta의 경우 Rthja를 사용해서 Tj를 계산합니다.
김*주2020-07-14 오전 10:48:39
[질문] Rds온 저항이 다르면 혹시 대전류에 적용시 병렬연결하여 적용하면 문제가 있나요? 전류 비대칭 배분?
Infineon_32020.07.14
병렬 사용시는 동일한 FET를 사용해야 합니다.
장*윤2020-07-14 오전 10:48:34
Inrush Current 제한하기 위한 Application 없을까요.. 이값을 늘리니 Rds 때문에 FET가 죽어서요.
Infineon_32020.07.14
FET는 스위치이기 때문에 Inrush current를 제한 하기 어렵습니다. Inrush current는 시간이 짧으므로 SOA 영역을 계산해야합니다.
김*지2020-07-14 오전 10:47:31
안녕하세요!
e4ds2020.07.14
안녕하세요~ 반갑습니다^^