SiC MOSFET을 이용한 고효율 인버터 설계 및 보호 기능 소개

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

김*문2020-08-20 오전 11:29:02
잘들었습니다. 좋은 내용 감사합니다. 많은 도움이 되었습니다.
Infineon_32020.08.20
유익한 시간 되셨길 바랍니다. 감사합니다 ^^
김*용2020-08-20 오전 11:28:32
수고많으셨습니다. 유익한 정보 감사합니다!
Infineon_32020.08.20
오늘 교육에 참석해 주셔서 감사합니다 ^^
강*완2020-08-20 오전 11:27:36
실사용 적용설계 중,신규 요구 조건 발생, 주변 회로 소자들을 단일 pakage로 제작 공급 일정이 있나요.충분한 방열기능이 보증되도록 노출면이 있어야 되겠고요.이런 요건은 ,방진,방습,내진 요구 조건 보증과 어떤 상황 돌발 상황하에서도,ROBUSTIC하게 기능 유지 절대적으로 요구됨.후쿠시마 원전 사고 시,원전 노심의 열전달용 펌프고장과 같은 상황을 대비하기위한 사례는 대표적 사례입니다.이런 요구 조건 응용 분야는 의외로 광범위로 산포됩니다.
Infineon_12020.08.20
단일 package라면 TO-247같은 discrete를 말씀하시는건지요? 인피니언의 SiC 라인업은 discrete // Easy module // 62mm 모듈 // XHP (고압용) 이며 62mm모듈의 경우 10~20년 전부터 널리 사용된 패키지로 이미 신뢰성의 검증에는 이견이 없는 부분입니다.
Kwon***2020-08-20 오전 11:27:32
인피니언에서 SiC MOSFET을 위한 2ED계열 게이트 드라이브가 출시된 것 같던데 1ED와 2ED의 간단한 차이점을 알 수 있을까요?
Infineon_12020.08.20
소자의 파트명을 끝까지 써주시면 정확한 답변이 가능합니다. 1ED020I12-F2 // 2ED010I12-F2 2세대 제품입니다. 1ED3431 // 1ED3461 // 1ED3491 올해 하반기및 내년 상반기에 출시하는 3세대 신제품입니다. 가장큰 차이가 desat filter 시간을 조절할수 있으며 soft turn-off 기능이 있습니다. 또한 전류가 기존 2A에서 최대 9A까지 늘어나서 대용량 설계시 booster가 불필요합니다.
안*민2020-08-20 오전 11:27:07
SIC 는 SI 에 비해 밴드갭이 3배가량 큰것으로 알고 있는데 그에 따른 장점이 무엇이 있나요?
Infineon_12020.08.20
그렇기 떄문에 소자가 1/3로 더 얇아도 1200V 내압 구현이 가능합니다.얇기 떄문에 인피던스가 작을수 있고요
김*환2020-08-20 오전 11:26:55
고효율이 중요한 PV 시스템에 기존 IGBT 에서 Sic 변경시 PV 효율 측정 비교를 한 자료가 있나요?
Infineon_12020.08.20
내부에 비교자료가 있습니다. 또한 사용하시는 사용조건을 알려주시면 시뮬레이션으로 인한 비교도 가능합니다. 자료관련해서는 당사에 요청 부탁드립니다.
고*호2020-08-20 오전 11:25:16
수고하셨습니다!
Infineon_32020.08.20
참석해 주셔서 감사합니다~ ^^
옥*복2020-08-20 오전 11:24:47
Rg_on/off 방법은 여러차례 시도해봤으나 솔루션이 안 됩니다. Compact와 가격을 고려할때 기존 Bootstrap 회로에서 Active Clamp 기능 활용하여 Abnormal Turn on 상황을 제거 하고 싶은데... Active Clamp 전압레벨이 높은 IC는 없는 건가요?
Infineon_12020.08.20
active clamp 는 Rg_off 를 0옴 쓰는 효과 입니다. 즉 좀더 강력한 전류 active 를 갖고 있는 소자검토가 필요합니다. 그것과 별개로 drive IC와 SiC소자간의 거리가 멀면 해당 기능의 효과가 떨어지게 됩니다. 1ED3431은 3A급 소자이며 1ED3461 이나 1ED3491은 active clamp의 게이트 신호를 내주기 떄문에 외부에 강력한 FET 소자를 추가해서 회로를 구현할수 있습니다.
Kwon***2020-08-20 오전 11:18:46
최근 SiC-MOSFET가 별도의 다이오드를 사용하지 않고 바디 다이오드를 사용하는 추세인데 별도의 다이오드를 사용하는 것과 바디 다이오드를 사용하는 소자 선정에 있어서 유의해야하는 것이 무엇인가요?
Infineon_12020.08.20
MOSFET과 마찬가지로 SiC MOSFET도 전류가 양쪽으로 흐를수 있는 bi direction 소자 입니다. drain에서 source로도 전류가 흐르고 source에서 drain으로도 흐릅니다. body diode로 전류가 흐를 타이밍에 다시 게이트 전압을 인가해서 채널을 만들어주시면 diode vf보다 몇배는 우수한 Rds_on 채널로 전류가 흐르게 됩니다 그런 이유로 인피니언에서는 별도의 diode를 넣지 않고 body diode로 사용하는것을 추천드립니다.
Kwon***2020-08-20 오전 11:17:10
대용량 인버터를 SiC 디스크릿 소자를 이용하여 설계하는 경우가 있나요?
Infineon_12020.08.20
discrete 소자의 경우 최대 약점이 절연지 입니다. 소자의 Rth는 0.x K/W 이더라도 절연지의 Rth가 1~2 사이가 되는경우가 많아 대용량이 될수록 방열이 어렵습니다. 병렬로 계속 늘리면 안될것은 없지만 어느 영역이 넘어가면 모듈이 더 경쟁력이 있다고 보입니다.