SiC MOSFET을 이용한 고효율 인버터 설계 및 보호 기능 소개

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

박*원2020-08-20 오전 11:16:36
부품선정할때 효율이 1%라도 좋은부품을 선정하게 되드라구요~
Infineon_12020.08.20
효율이 높아지면 이득이 많아지는 application은 물론이고 효율을 가격으로 환산하기 위해 동일한 효율에서 스위칭 주파수를 올려서 다른 부품 가격 절감도 가능합니다.
김*환2020-08-20 오전 11:14:57
전류 소비에 따른 열저항 시뮬레이션이 가능 한가요?
Infineon_12020.08.20
방열조건에 대한 Rth가 define되어 있다면 가능하지만 아직까지 Rth를 정확하게 define되는 경우를 못봤습니다.
옥*복2020-08-20 오전 11:14:52
현재 Bootstrap + 2ED DriverIC + SiC MOSFET으로 구성하여 개발을 진행 중입니다. 2ED Driver IC의 Active Gate Driver 전압레벨 제한과 노이즈에 의한 Abnormal Turn-on이 지속 발생하고 있습니다. -5v 인가하는 방법 이외 솔루션은 없을까요?
Infineon_12020.08.20
Rg_on을 키우고 Rg_off를 줄여보는것이 가장 쉬운 방법이며 내부에 active miller clamp 기능도 쓰고 계시다면 더 강력한 active miller clamp 전류 용량 소자를 쓰시거나 negative 전압을 키워야 될것 같습니다.
이*승2020-08-20 오전 11:14:43
유익한 시간이였습니다
e4ds2020.08.20
고생하셨습니다^^ 재방송이 시작되었습니다~
김*규2020-08-20 오전 11:14:40
gate driver와 SiC FET 결합된 IPM 제품군들이 있는지요??
Infineon_22020.08.20
제품 준비 중입니다. 자세한 일정은 향후에 알려드릴 수 있을 것 같습니다.
Infineon_22020.08.20
1200V 55mohm이 적용된 제품이 올해 말 출시될 예정입니다.
김*주2020-08-20 오전 11:13:48
수고하셨습니다. 업무에 많은 도움이 되었습니다. 재방송에서 놓친부분이 있는지 봐야 겠습니다.
Infineon_32020.08.20
재방송 및 다시보기로 시청 가능합니다 ^^ 오늘 교육에 참석해 주셔서 감사합니다~
오*원2020-08-20 오전 11:13:39
SiC 구동에 대하여, Negative bias를 할 경우, 어느정도까지 권장하시나요?
Infineon_22020.08.20
인피니언 SiC MOSFET의 경우 zoro voltage로 사용하실 수 있습니다. negative bias는 최소화 해서 사용하실 것을 권장합니다.
이*훈2020-08-20 오전 11:13:37
수고 많으셨습니다, 유익 했습니다, 감사 드립니다!
Infineon_32020.08.20
유익한 시간 되셨길 바랍니다. 참석해 주셔서 감사합니다 ^^
김*태2020-08-20 오전 11:12:57
수고하셨습니다.
Infineon_32020.08.20
감사합니다~ ^^
신*영2020-08-20 오전 11:11:54
저한테는 약갼 생소한 분야라 많이 어렵네요. 다음에도 다양한 분야 다양한 제품에 대한 세미나 부탁드립니다. 감사합니다.
Infineon_32020.08.20
다음에 더 좋은 교육으로 찾아뵙겠습니다. 오늘 참석해 주셔서 감사합니다 ^^