~5/21 울프스피드 파워테크니컬로드쇼
SiC MOSFET을 이용한 고효율 인버터 설계 및 보호 기능 소개

Infineon / 이건호 차장

  • 이*석2020-08-20 오전 11:06:42

    ARM 구동축 같은 소형, 고성능 Motor Driver 개발시 SiC 와 GaN 장단점이 어떤것이 있을까요?
  • Infineon_12020.08.20

    Gan은 패키지가 SMD로 알고 있습니다. PCB 패턴방열로 가능한 kw가 GaN 사용가능 영역입니다. SiC 은 손바닥보다 더큰 패키지로도 출시 하기 떄문에 높은 용량에도 문제가 없습니다. 무엇보다 GaN의 문턱전압이 1~2V수준이라 디자인하기가 정말 어렵습니다. SiC 의 경우 typ 4.5V입니다.
  • 배*석2020-08-20 오전 11:06:36

    발표자료는 어디에서 받을 수 있나요?
  • Infineon_32020.08.20

    본 교육은 별도로 발표자료로 제공하지 않는 점 양해 바랍니다.
  • 김*환2020-08-20 오전 11:04:16

    VDE 인증 소자는 언제 출시 예정 인가요?
  • Infineon_12020.08.20

    UL 1577 버젼은 올해 하반기 출시 예정이며 UL 1577 + VDE0884-11 둘다 만족하는 버젼은 내년 상반기 출시 예정입니다. 둘다 완전히 동일한 칩이며 인증시간만 더 걸린다고 보시면 되고 현재 해당 소자 샘플 신청이 가능합니다.
  • 정*균2020-08-20 오전 11:04:10

    Uvlo가 configurable이라는것은 제한없이 정할수 있다는건가요?
  • Infineon_12020.08.20

    디지털 버젼은 선택을 할수 있습니다. 제한이 몇인지를 봐야하는데 원하시는 수준은 선택하실수 있을것 같습니다.
  • 옥*복2020-08-20 오전 11:04:05

    Series Resonant Converter Application으로 600V 80Arms 100kHz ~ 120kHz 영역을 사용하고자 합니다. 가격과 성능 고려하여 어떤 소자가 적절할까요
  • Infineon_12020.08.20

    80Arms가 흐르려면 방열조건에 따라 다르겠지만 11mΩ (100A급) 아니면 8mΩ(150A급) 이나 6mΩ (200A급) 이 맞아 보입니다. Easy module 에 half bridge로 구현된 제품이 있으며 TO-247로 가장 전류 제품은 30mΩ (40A급) 을 병렬로 사용하는 방법도 있습니다.
  • 김*열2020-08-20 오전 11:03:46

    [질문] 보호기능을 강조하다보면 기존 효율성이 떨어지는 건 아닌지요? 어느 정도 기준이 있다면 알려 주세요.
  • Infineon_12020.08.20

    보호기능이 효율을 떨어뜨리는 경우는 두가지 입니다. 1) 내압으로부터 보호하기 위해 Rg_off를 크게 쓰는 경우 2) 쇼트 내량을 확보하기 위해 Vgs=15V로 사용하는경우 (Vgs=18보다 Rds_on이 나쁨)
  • 이*혁2020-08-20 오전 11:03:11

    이번 드라이버 제품은 적용가능한 sic제품군이 어떤건가요? 대용량도 커버가능한가요?
  • Infineon_12020.08.20

    일반적으로 drive Ic의 전류 용량이 모자라면 booster를 사용하는데 시장에서 많이 사용하는 booster npn , pnp 소자의 최대 전류가 6A인 경우가 많습니다. 1ED3491은 최악의 경우에도 6A를 출력하며 typ 9A 소자 이기 때문에 거의 모든 소자를 커버한다고 보시면 됩니다.
  • 채*기2020-08-20 오전 11:03:11

    모터 토크용 제어으로 지원 가능한 칩이 있을까요?
  • Infineon_12020.08.20

    모터 제어 칩의 경우 imotion 이라는 제품이 가장 적합해 보입니다. 간략한 모터 스펙 을 입력하면 모터 제어 알고리즘이 들어 있어 쉽게 모터를 제어할수 있습니다. 추후에 관심이 있으면 당사에 문의 부탁드립니다.
  • 신*영2020-08-20 오전 11:02:54

    DESAT 기능이 RDS on 통해서 short circuit 감지하는 방식인가요?
  • Infineon_22020.08.20

    네 맞습니다. IGBT의 경우 short circuit 발생 시 Vce(sat)이 5V이상으로 높아지게 되는데 이 전압을 감지해서 보호를 해주는 동작입니다. MOSFET 마찬가지로 short 발생 시 동일하게 VDS전압이 높아지게 되는 것을 감지해서 동작하게 됩니다.
  • 정*균2020-08-20 오전 11:01:39

    인버터를 보호하는 방법에는 어떤것들이 있는지요?
  • Infineon_12020.08.20

    소자가 스트레스를 받는경우는 크게 세가지 입니다. 과전압으로 인한 부분 , 과전류로 인한 부분 , 온도로 인한부분 1) 과전압 => 게이트 를 off시켜도 내압을 넘는 전압이 양단에 걸리면 전류가 흐르게 되며 이를 막으려면 전압자체를 낮춰주셔야합니다. 2) 과전류 => 전류가 천천히 상승하는 경우 software가 이를 감지해서 제어를 할수 있으나 쇼트가 나서 순식간에 전류가 상승하는 경우 MCU는 너무 늦습니다. 통상 drive IC로 수 us이내에 게이트를 선 차단하고 후 Fault 보고를 하게 됩니다. 3) SiC 모듈의 경우 내부에 NTC가 내장되어 있어서 static 으로 상승하는 온도는 감지가 가능합니다. 갑자기 온도가 상승하는 부분은 체크가 어려우며 이경우 대부분 쇼트로 과전류로 감지가 가능합니다.
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