SiC MOSFET을 이용한 고효율 인버터 설계 및 보호 기능 소개

Infineon / 이건호 차장

웨비나정보 웨비나Q&A

이*훈2020-08-20 오전 10:48:26
재방송이나 다시보기를 지원하시나요~?
e4ds2020.08.20
안녕하세요, 네 오늘 웨비나는 11시 10분부터 재방송이 진행됩니다^^ 다시보기도 오늘 이후로 e4ds.com에서 시청 가능합니다!
신*영2020-08-20 오전 10:47:45
출석합니다.
e4ds2020.08.20
출석 확인입니다. 감사합니다^^
김*환2020-08-20 오전 10:47:27
기존 MOSFET경우 Vds를 통해 Id 제어 그래프가제공 되었는데요 Sic MOSFET도 해당 그래프가 데이터시트에 있나요?
Infineon_12020.08.20
SiC MOSFET은 1200V IGBT를 대체하기 위한 목적이 가장 큽니다 600V에서는 이미 고속 스위칭이 가능한 MOSFET 솔루션이 있었고요. 그로인해 대부분의 데이터 시트가 IGBT와 비슷한 면모가 있습니다. 자세한 부분은 검토하시는 소자를 알려주시면 체크가 가능합니다.
이*진2020-08-20 오전 10:46:02
안녕하세요...
e4ds2020.08.20
안녕하세요~ 어서오세요 참석해주셔서 감사합니다!
옥*복2020-08-20 오전 10:45:19
1. Short Circuit 내량은 어느정도 수준인가요? 2. 과전류 보호회로 기술은 기존과 동일한지? 만약 회로 구성이 같다면 비교기 Spec 상승에 대한 비용 이슈 및 대책 방안이 있는지? 3. 전반적인 가격 Trend와 최종 SiC 예상가격은 얼마정도로 예상하시는지?
Infineon_12020.08.20
TO-247 제품은 최대 악조건에서 Tsc=3us이며 모듈 제품은 2us입니다. 기존의 IGBT 경우 600V는 5us 1200V는 10us이었기 떄문에 동일한 보호회로를 구현하시면 응답시간이 늦을수 있습니다. 비교기 보다는 빠른 보호기능이 있는 drive IC를 추천드립니다. 소자만 놓고 보면 가격 상승이 많이 되며 총 시스템의 가격과 효율 사이즈등을 가격으로 환산한다면 메리트가 있다고 보고 있습니다. 가격은 전류 용량에 따라서 천차만별입니다.
지*호2020-08-20 오전 10:45:17
[질문]고효율 인버터와 일반 인버터의 경우에 어떤 차이가 중요한 지표로 구분 되는지 궁금합니다.
Infineon_12020.08.20
효율은 소자의 손실을 의미하고 손실에 대해서는 결국 두가지가 지표로 작용합니다. 1) switching loss (Eon & Eoff & Qg) 2) conduction loss (Vce,sat & Rds_on) 스위칭 손실의 경우 Rg에 따라 달라지다 보니 Rg를 튜닝하는데 영향을 주는 Vgs(th)와 Vds (내압)도 영향을 준다고 보는게 맞을것 같습니다.
김*문2020-08-20 오전 10:44:33
[질문] 3상 모터 구동에 적용시 패키지가 좋은지? 아니면 디스크리트 타입을 적용하는게 좋은지요?
Infineon_22020.08.20
패키지를 사용하게 되면 조립이 용이한 이점이 있으나 cost가 discrete대비 높은 부분이 있습니다. discrete을 적용하는 경우 cost는 낮아질 수 있지만 gate drive 회로 부분 설계에 대한 검증등 으로 인한 개발 기간이 길어질 수 있는 부분이 있습니다.
이*훈2020-08-20 오전 10:44:27
안녕하세요 재방송 있나요??
e4ds2020.08.20
안녕하세요ㅡ 넵 오늘 웨비나는 11시 10분부터 재방송이 진행됩니다^^
손*환2020-08-20 오전 10:43:35
[질문] MOSFET의 효율을 올리기 위해 Tradeoff 되는 사항은 어떤것이 있나요.
Infineon_12020.08.20
게이트 저항을 키워서 c*dv/dt와 turn-off spike를 튜닝하게 됩니다. 또한 인피니언 SiC MOSFET 제품은 Vgs=15V일떄 short circuit 내량을 갖고 Vgs=18일때는 내량이 없는 대신 Rds_on이 올라갑니다.
김*환2020-08-20 오전 10:42:27
문턱 전압 쉬프트 현상은 왜 발생 하는 건가요?
Infineon_12020.08.20
SiC 물성의 특성이라고 알고 있습니다 인피니언 제품뿐만 아니라 모든 SiC가 동일하며 해당관련해서는 논문도 많이 나와있는것 같습니다.