차세대 집적 회로 기술 'SOI' 적용을 위한 테스트 사례
일반적 IC 기술을 적용한 모노리딕 레벨 쉬프트 게이트 드라이버 IC는 상측 레퍼런스 핀으로 발생되는 음 전압을 견디는 능력이 떨어지는데요, SOI(silicon-on-insulator) 기술을 이용하면 이 능력을 향상시킬 수 있습니다. 이러한 문제를 자세히 살펴보기 위해 정적 및 동적 음 전압 조건으로 3개 하프 브리지 레벨 쉬프트 게이트 드라이버 IC를 테스트하였습니다. 이 기술 백서를 통해 해당 테스트에 사용된 테스트 기법과 각 게이트 드라이버 IC의 성능 결과를 확인하시어 더 견고하고, 신뢰할 수 있는 디자인을 달성하세요!

세 가지 하프 브리지 드라이버 테스트

SOI 기술 이용에 대해 자세히 살펴보기 위해 서로 다른 하프 브리지 게이트 드라이버 IC들을 대상으로 테스트를 실시했다. 우측에 있는 표는 테스트를 진행한 게이트 드라이버와 각각의 주요 동작 사양을 보여준다. 각기 디바이스가 다양한 크기 및 지속시간으로 음 전압을 견딜 수 있다는 것을 알 수 있다. 이 테스트는 대상 IC들을 한계까지 작동시키고 정적 및 동적 음 전압을 인가해서 게이트 드라이버 동작으로 어떤 이상 동작들이 나타나는지 살펴보았다.

정적 테스트
정적 테스트
  • 정적 테스트는 위에서 보는 것과 같은 회로를 사용해서 실시했다. 15V 소스로부터 이 IC로 전원을 공급해서 게이트 드라이버 출력을 구동한다. 이 테스트의 합격 기준은, 연속적인 PWM 입력 신호를 해당 출력으로 중단되지 않고 전송하느냐 하는 것이다. 출력이 어떤 상태로든 고착되면 “불합격”이다.


동적 테스트
정적 테스트
  • 동적 테스트는 위의 회로를 사용해서 실시했다. 테스트 대상 디바이스의 VS 단자로 음 펄스를 인가하였다. 이 부위가 이처럼 높고 짧은 간격 동안 지속되는 음 펄스가 발생되기 쉬운 곳이기 때문이다. 그리고 PWM 발생기를 사용해서 대상 디바이스의 입력 측으로 신호들을 인가했다. 합격 기준은, 입력 PWM 신호를 입력 단자 LIN 및 HIN에서부터 각기 출력 LO와 HO로 중단되지 않고 전송하느냐 하는 것이다.

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    게이트 드라이버로 IC의 성능 결과가 놀랍네요. 사장님께 강추해야 겠어요

  • 이천용

    조은 정보 감사합니다.

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    경우에 따라 유의미게 응용이 가능해보입니다..

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  • 정석

    좋은제품 같네요 백서 받아보고 검토 해봐야 겠습니다. ^^

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    자료도 유용하고, 이벤트도 유용합니다. 고맙습니다.

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    드라이브 개발에 유용한 자료 감사드립니다.

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  • 이철규

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    항상 새로운 정보 제공과 알찬 세미나에 초대해 주셔서 감사를 드립니다, e4ds!! 화이팅!! 힘!! ^^*

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    자료 내용이 알차고 좋네요~

  • 김효숙

    SOI 논문도 열람 잘되고 자료도 다운로드도 가능하고 알짜배기 정보 감사합니다. ^^

  • 최원효

    좋은자료 감사합니다.

  • 임근식

    자료감솨. 전압견디는 능력이 확 좋아지길 기대합니당. ^^

  • 김지태

    ㄱㅏㅁㅅㅏㅎㅏㅂㄴㅣㄷㅏ.

  • 신은영

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  • 이봉열

    정말 유익한 정보네요..감사합니다.

  • 윤영식

    좋은 자료네요. 고맙습니다. 수고하세요.

  • 우희성

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