와이드 밴드갭(WBG) 반도체인 SiC 및 GaN 기반 전력 반도체의 채택이 증가하면서, 더 높은 전압, 더 빠른 스위칭 속도, 더 정밀한 측정이 필수가 되고 있습니다.
더블 펄스 테스트(Double Pulse Testing, DPT)는 전력 반도체의 스위칭 성능을 평가하는 가장 중요한 방법으로, 정확한 스위칭 손실 분석을 통해 효율적인 전력 변환 시스템 설계가 가능합니다.
이번 웨비나에서는 텍트로닉스 오실로스코프 기반의 테스트 솔루션으로 더블 펄스 테스트의 주요 도전 과제를 해결하는 방법을 소개합니다.

  [주요 내용]

• WBG 반도체의 최신 테스트 트렌드 및 과제
• 더블 펄스 테스트의 기본 원리와 필요성
• 공통 모드 간섭(Common Mode Noise) 해결을 위한 최적의 계측 기법
• JEDEC/IEC 표준 기반의 자동화된 스위칭 손실 분석 방법
• 고속 스위칭 환경에서 신뢰성 높은 전류 및 전압 측정을 위한 최신 프로브 기술
• 텍트로닉스 DPT 솔루션을 통한 Si, SiC, GaN MOSFET 및 IGBT 테스트 최적화

[텍트로닉스 DPT 솔루션만의 강점]

• 차별화된 오실로스코프와 프로브 구성: 고속 스위칭 환경에서의 정밀 측정 가능
  • 수백 MHz~GHz 대역에서도 신호 왜곡을 최소화하는 것이 필수
  • IsoVu 절연 차동 프로브는 100dB 이상의 공통 모드 노이즈 제거를 통해 정확한 측정 가능
• 신뢰성 높은 분석 및 자동화된 테스트 환경
  • JEDEC/IEC 표준 기반의 자동 측정 기능을 제공하여 고정밀 테스트 및 분석 가능
  • 최신 소프트웨어 기반으로 테스트 반복 및 분석을 쉽게 자동화하여 효율성 극대화
• 정밀한 펄스 생성 및 제어: AFG31000 임의 파형 발생기는 더블 펄스 테스트 전용 소프트웨어 내장하여, 펄스 폭과 타이밍을 직관적으로 컨트롤
• 네트워크 연결을 통한 오실로스코프 원격 제어 지원 등

이번 텍트로닉스 웨비나로 전력 반도체 측정 트렌드를 알아보고,
실제 텍트로닉스 DPT 솔루션으로 최신 WBG 반도체 테스트 환경을 최적화하는 실질적인 방법을 직접 확인해보세요!