2024.07.01by 배종인 기자
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 시중의 다른 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 제품 대비 입력 및 출력 FoM(figures-of-merit)이 20% 더 우수한 가성비 있는 새로운 CoolGaN™ 트랜지스터 700V G4 제품군을 새롭게 선보이며, 컨슈머 전원 장치에서 최고의 성능을 보장한다.
2024.06.25by 권신혁 기자
전력반도체 시장이 SiC와 GaN 기반으로 패러다임 전환하면서 주요 플레이어들의 투자와 시설 확장 치열이다. ST가 글로벌 각축전에서 1위를 수성한 가운데 중국의 화합물 전력반도체 자급 생태계 구축이 가속화되면서 향후 업계 및 시장 지형도에 큰 변수로 떠오르고 있다.
2024.06.13by 성유창 기자
텍사스 인스트루먼트(이하TI)가 작은 사이즈, 합리적인 가격, 높은 효율성에 대한 시장의 요구를 한 번에 잡을 수 있는 GaN 기술을 활용한 지능형 전력 모듈(IPM)을 출시했다.
2024.06.04by 성유창 기자
향후 5년간 46%의 연평균 성장률(Yole Group 전망)로 성장이 예상되는 GaN 디바이스 시장에서 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 CoolGaN의 강점과 생산 용량을 더욱 확장할 것이라 밝혔으며, 이 계획의 일부인 새로운 CoolGaN 제품군을 선보인다.
2024.04.05by 배종인 기자
한국전자통신연구원(ETRI)은 4일 원내에서 산·학·연 관련 관계자가 참석한 가운데, 과학기술정보통신부 ‘통신용 화합물반도체 연구 파운드리 구축사업’으로 개발한 세계적 수준인 150나노(0.15um) 질화갈륨 마이크로파집적회로(MMIC) 설계키트(PDK) 공개발표회를 개최했다.
2024.03.11by 성유창 기자
인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한 SiC 기반 MOSFET 기술을 시장에 내놓는다.
2024.02.01by 성유창 기자
YOLE 그룹의 애널리스트가 “OEM들은 변화하는 자동차 산업 환경에 대응해 나가기 위해 반도체에 전략적인 투자를 지속하고 있다”며 “xEV용 전력 디바이스 시장에서 SiC 및 GaN과 같은 화합물 반도체에 이목이 집중될 것”이라 전했다.
2024.01.15by 권신혁 기자
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 MasterGaN1L과 MasterGaN4L을 출시했다고 15일 밝혔다.
2023.12.07by 권신혁 기자
“정부에서 발표한 것들 중 나눠주기식, 갈라치기식, 뿌려주기식을 좀 배제하라는 주문이 있었다. 어떤 목적성을 가지고 중대형 과제들을 기획해서 중대형 과제 중심으로 지원하겠다”
2023.12.01by 권신혁 기자
텍사스 인스트루먼트(TI)가 1일 저전력 질화 갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 발표했다.
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