2012년 12월 12일, 서울 - 다양한 전자 애플리케이션을 제공하는 세계적인 반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 프랑스 크롤의 300mm 제조 시설에서 28nm FD-SOI 기술 플랫폼 시생산 준비를 완료했다고 발표했다. 이로써, 28nm 기술 노드로부터 평면 완전공핍형 기술을 제공하는 ST의 역량이 다시 한번 확인됐다. 이는 업계 최고 성능 및 최저 전력 소모를 구현하며 배터리 수명을 단축하지 않으면서 뛰어난 그래픽, 멀티미디어 및 고속 브로드밴드 커넥티비티를 구현하는 것이 매우 중요한 멀티미디어 및 포터블 애플리케이션용 임베디드 프로세서를 위해 필수적인 기술이다. 이는 FD-SOI 컨소시엄이 샌프란시스코에서 개최한 완전공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI) 워크샵과 함께 발표되었다.

 FD-SOI 기술 플랫폼은 완벽한 성능과 파운데이션 라이브러리(표준 셀, 메모리 생성기, I/O, AMS IP, 그리고 고속 인터페이스) 일체와 고속 및 에너지 효율적인 디바이스를 개발하는데 이상적인 설계 플로우를 내장한 실리콘 검증 설계 플랫폼을 포함하고 있다.

 ST의 FD-SOI 기술은 미래형 모바일 플랫폼 개발을 위해 이미 ST-에릭슨이 채택을 한 상태이며, 이를 통해 기존 기술 활용보다 상당한 저전력 소모를 비롯한 성능 향상의 혜택을 누릴 수 있을 것이다.

 ST마이크로일렉트로닉스 수석 부사장이자 디지털 부문 총괄 본부장, 그리고 기술 및 제조 최고 책임자인 쟝 마크 쉐리(Jean-Marc Chery)는 “ST는 제품 및 기술에서 새로운 솔루션을 개척해온 오랜 역사를 갖고 있다. FD-SOI 기술을 제조 단계로 끌어올림으로써, 다시 한번 반도체 기술 개발 및 제조 혁신의 리더라는 입지를 확인 시켰다. 후처리 웨이퍼 테스팅으로 기존 기술과 비교하여 FD-SOI가 성능과 파워에서 우수하다는 것을 증명하였으며, 이를 통해 28nm 노드부터 비용 효율성이 높은 산업용 솔루션을 구현할 수 있게 됐다. ST-에릭슨의 노바토르 ModAp 플랫폼의 멀티-코어 서브시스템의 측정 수치를 보면 최대 주파수가 2.5Ghz 를 넘고 0.6V에서 800MHz 까지 구동 가능하여 기대치를 충분히 만족시킬 뿐만 아니라, 기술 유연성, DVFS(동적 전압 및 주파수 스케일링)를 통한 전압 범위의 확장 등을 확인 할 수 있었다.”고 밝혔다.

 제조 성공만큼이나 중요한 사실은 ST가 28nm 벌크 CMOS로부터 28nm FD-SOI로 바로 옮겨 갈 수 있는 포팅 라이브러리와 물리적 IP를 개발했으며, MOS-히스토리-효과의 부재로, 기존 CAD툴 및 공법을 쓰는 디지털 SoC 설계 과정이 벌크와 동일하다는 것이다. FD-SOI로 에너지 효율성이 매우 높은 디바이스 생산이 가능하다. 즉, 필요하면 동적 바디-바이어스를 활용하여 고성능 모드로 바로 전환할 수 있고, 나머지 시간에는 저누설 상태로 유지를 하는 것이다. 이 모두는 애플리케이션 소프트웨어, 운영 시스템(OS) 그리고 캐시 시스템에서 완벽하게 투명한 방식으로 이루어진다. 마지막으로, FD-SOI는 벌크 CMOS 대비 낮은 전압과 뛰어난 에너지 효율성으로, 탁월한 성능을 구현하며 구동 가능하다.