10나노급 공정 미세화 기술로 차세대 D램 적기 출시
2021년 DDR4·LPDDR4X 시장 DDR5·LPDDR5로 전환

삼성전자가 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 새로운 패러다임을 제시했다.
삼성전자는 3월25일 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급하면서 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 밝혔다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높일 수 있어 성능과 수욜 향상은 물론 제품 개발 기간 단축에도 기여한다.

현재 삼성전자는 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발 중이며 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램 대비 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높였다.

삼성전자는 오는 2021년 성능과 용량을 더욱 향상시킨 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 강화해 나갈 계획이다.

또한 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하는 동시에 업체간 표준화 활동을 적극 추진해 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 높여갈 예정이다.
한편 오는 하반기 삼성전자는 평택 신류 라인을 가동함으로써 늘어나는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.