2012년 10월 31일, 서울 - 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 5세대 650V thinQ!TM SiC 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky Barrier Diode)를 출시하며 자사의 SiC(Silicon Carbide) 포트폴리오를 확장했다.

 인피니언 고유의 확산 솔더링(diffusion soldering) 공정을 새롭고 보다 콤팩트한 설계 및 최신 박막 웨이퍼 기술과 결합하여 이전 인피니언 SiC 다이오드 제품군 대비 30% 낮아진 FOM(Figure of Merit, Qc x Vf) 및 향상된 열 특성을 제공한다. 결과적으로 제품 시리즈는 모든 이전 thinQ!TM 세대 대비 전체 부하 조건에서 PFC 및 부스트 단에서 향상된 효율을 제공한다. 5세대 제품들은 하이엔드 서버 및 통신용 SMPS(Switched-Mode Power Supply), PC 실버박스 및 조명 애플리케이션, 태양광 인버터, UPS(Uninterruptible Power Supply) 시스템 등에 최적화 되었다. 최신 세대 제품을 사용하면 효율 향상은 물론 EMI(Electromagnetic Interference) 감소, 시스템 신뢰성 증대, 그리고 냉각 요구사항 감소로 인한 비용 절감 및 크기 감소 등의 이점을 얻을 수 있다.

 인피니언 테크놀로지스 고전압 전력 변환 제품 사업부문장 얀-빌헬름 레이나에르트(Jan-Willem Reynaerts)씨는 “인피니언은 2001년 최초로 SiC 쇼트키 다이오드를 출시한 이후 포트폴리오를 크게 향상시키고 확장해 왔다. 차별화된 SiC 다이오드는 그린 에너지의 미래를 구축해 나가고 있다.”면서  “5세대 제품들은 이전 세대 대비 한층 향상된 시스템 효율과 전력 밀도를 매력적인 가격대성능비로 제공한다.”고 말했다.

 2세대 포워드 전압(Vf) 수준과 결합된 3세대의 낮은 정전용량 전하(Qc) 값을 통해 5세대 제품은 PFC 회로에서 최고의 효율 수준을 제공할 수 있다. 신형 제품군은 2세대 및 3세대 제품의 600V 대신 CoolMOSTM 기술에서 최근에 발표된 수준과 같은 650V의 보다 높은 항복 전압 수준을 제공한다. 이러한 특징은 태양광 인버터와 높은 기술 수준을 요구하는 SMPS 환경에서 보다 높은 안전 마진을 제공한다. 또한 5세대 제품은 서지 전류에 대해 높은 강건성, 그리고 보다 높은 전류 정격과 TO-247, ThinPAK 등과 같은 신형 패키지를 통해 보다 다양한 포트폴리오를 제공한다.

공급시기
샘플이 현재 공급되고 있다.

인피니언의 신형 5세대 650V thinQ!TM SiC 쇼트키 배리어 다이오드에 대한 상세 정보는 다음에서 제공된다: www.infineon.com/sic-gen5