2012년 11월 6일, 서울 - 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 3세대 역 전도(Reverse Conducting) 소프트 스위칭 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 제품군에 30A 및 40A 용량의 1200V 및 1350V 디바이스를 추가했다. 그럼으로써 갈수록 더 높아지는 신뢰성에 대한 요구를 충족할 수 있게 되었다.

인피니언은 인덕션 쿠킹 애플리케이션에 적합한 공진 스위칭 IGBT 기술 분야에서 확고한 위치를 확립하고 있다. 3세대 IGBT 디바이스는 낮은 스위칭 손실 및 전도 손실을 달성하도록 최적화 되었으며, 1100V, 1200V, 1350V에서 업계 최고의 효율을 제공한다.

이들 새로운 제품은 20퍼센트 이상 낮은 스위칭 손실을 제공하므로, 애플리케이션 테스트 시에 인피니언의 2세대 역 전도 IGBT와 비교해서 5K의 케이스 온도 감소를 보였다. 스위칭 손실이 낮아지면 디바이스에 대한 열 스트레스가 감소하고 그럼으로써 수명을 연장하고 더 높은 신뢰성을 달성할 수 있도록 한다. 소프트 스위칭 동작에 의한 높은 효율, 뛰어난 열 성능, 우수한 EMI 동작을 특징으로 하는 이들 제품은 시장에 나와 있는 IGBT 제품들 중에서 인덕션 쿠킹, 태양광, 기타 공진 스위칭 애플리케이션에 이용하기에 가장 적합하다.

기존 30A 및 40A, 1200V용량에서 30A및 40A, 1350V용량의 제품이 추가 됨으로써 더 높은 전압 및 전류를 필요로 하는 디자이너들의 요구를 충족할 수 있게 되었으며, 싱글-앤드 토폴로지로 최대 3.6kW의 디자인이 가능하게 되었다 .

뿐만 아니라 30A 및 40A, 1350V의 디바이스는 SOA(safe operation area)의 증가, 서지조건에서의 과전류정격 향상으로 디자이너들에게 더욱 더 견고하고 신뢰성 높은 제품설계를 가능하게 한다

인피니언 테크놀로지스의 IGBT 전력 디스크리트 부문의 롤랜드 스틸(Roland Stele) 마케팅 이사는 “3세대 제품은 애플리케이션에 특화된 전력 스위치에 대한 갈수록 높아지는 요구를 충족하기 위한 것으로서, 타깃 애플리케이션에 가장 적합한 가격대 성능비를 제공하고 애플리케이션 특유의 요구들을 충족할 수 있도록 한다. 이들 3세대 역 전도 IGBT 제품들은 한 차원 향상된 시스템 효율, 신뢰성 및 전력 밀도 등에서 업계의 새로운 기준을 수립하게 되었다. 시스템의 뛰어난 성능은 디바이스의 향상된 견고성으로부터 나오는 것이다.”라고 말했다.

디자이너들은 15/20/30/40A의 전류용량 및  1200V/1350V의 전압용량의 제품군을 가지고 자신의 애플리케이션에 적합한 특성과 뛰어난 효율을 제공하는 IGBT를 선택 할 수 있다. 높은 설계 유연성과 뛰어난 성능을 결합함으로써 설계 작업을 간소화하고 개발 시간을 단축할 수 있다.

모든 3세대 역 전도 IGBT 제품은 최대 175C에 이르는 접합부 온도로 동작할 수 있도록 설계되었다. 포화 전압 VCE(sat) 값은 Tj=175C일 때 15A/1200V 디바이스와 40A/1350V 디바이스 각각이 1.80V 및 2.10V이다. 낮은 턴오프  스위칭 손실은 고도로 효율적인 동작을 가능하게 한다. dv/dt=150.0V/s 및 Tj=175C일 때 이 손실이 15A/1200V IGBT는 0.15mJ이고 40A/1350V 디바이스는 1.07mJ이다.

공급
3세대 역 전도 IGBT 제품군은 15A, 20A, 30A, 40A 전류 용량의 1200V 및 1350V 전압 제품과 30A 전류 용량의 1100V 제품을 포함한다. 이들 디바이스들은 현재 양산 공급되고 있다. 더 자세한 내용은 www.infineon.com/rch3에서 제공된다.