2012년 11월 19일, 서울 - 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 TRENCHSTOP™ 5 기술을 적용한 차세대 박막 웨이퍼 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 제품을 출시했다. 이 기술은 현재 시장에서 제공되고 있는 주요 솔루션 대비 전도 손실과 스위칭 손실을 크게 낮추었다. IGBT 성능에 있어서 새로운 기준을 제시하는 TRENCHSTOP™ 5 기술로 인피니언은 갈수록 더 높은 효율을 요구하는 시장에서 선도 지위를 유지할 수 있게 되었다.

 650V의 높아진 항복 전압을 제공하는 이 신기술은 설계에 보다 높은 안전 마진을 제공한다. 태양광 인버터, UPS(Uninterruptible Power Supply) 및 인버터형 용접 장비 등의 애플리케이션에 통상적으로 이용되는 부스트 PFC(AC/DC)단 및 고전압 DC/DC 토폴로지에 이용하기 적합하다.

 TRENCHSTOP™ 5 기술은 2개의 제품군을 제공한다. HighSpeed 5(H5) 제품군은 사용의 편리성에 중점을 두고 기존 IGBT를 플러그 앤 플레이 방식으로 교체할 수 있도록 설계된 소프트 고속 IGBT 제품으로서 최소한의 설계 작업만을 필요로 한다. HighSpeed 5 FAST(F5) 제품군은 지금까지 제품들 중에서 가장 효율이 뛰어난 IGBT로서 “H4 브리지” 토폴로지를 적용한 태양광 인버터 애플리케이션 측정에서 98퍼센트 이상의 시스템 효율을 달성했다.

 인피니언 테크놀로지스의 IGBT 전력 디스크리트 부문의 롤랜드 스틸(Roland Stele) 마케팅 이사는 “TRENCHSTOP™ 5는 IGBT 성능에 있어서 비약적인 향상을 달성하여 시스템 효율을 크게 향상시키고 더 높은 항복 전압을 제공하여 신뢰성을 향상시킨다. 그럼으로써 전반적인 플랫폼의 시스템 비용을 절감할 수 있도록 한다. 단일 솔루션으로 이러한 모든 특성들을 요구하는 고객들에게는 TRENCHSTOP™ 5만이 유일한 해답이 될 것이다”라고 말했다.

 새로운 TRENCHSTOP™ 5 기술은 다양한 유형의 타깃 애플리케이션에 여러 이점을 제공한다. 이 기술은 현재 업계에서 가장 앞서 있는 인피니언의 HighSpeed(H3) 제품군과 비교해서 전도 손실은 10퍼센트 이상 낮아졌고 총 스위칭 손실은 60퍼센트 이상 낮아졌다. 이와 같이 효율을 크게 향상시킴으로써 동작 시에 접합부 온도를 낮출 수 있으므로 수명 신뢰성을 높일 수 있으며, 또는 더 높은 전력 밀도를 달성하는 디자인이 가능하다. 한 예로, 애플리케이션 테스트에서 TO-220 패키지의 TRENCHSTOP™ 5가 TO-247 패키지의 H3 제품보다 케이스 온도가 15퍼센트 더 낮은 것으로 나타났다.

 또 다른 중요한 향상으로서 포화 전압(VCE(sat)) 및 턴오프 스위칭 손실(Eoff)이 완만한 양의 온도 계수를 특징으로 함으로써 고온 동작 시에 성능이 영향을 받지 않도록 하고 병렬화가 용이하도록 한다. H3에 비해서 2.5배 낮은 게이트 전하(Qg)는 IGBT를 더 낮은 비용으로 더 편리하게 구동할 수 있도록 한다. 또한 TRENCHSTOP™ 5는 고속 회복 프리-휠링 다이오드(fast recovery free-wheeling diode)의 온도변화에 대해 안정적인 포워드 전압 드롭(VF)과 50ns 미만의 역 복구 시간(Trr)을 특징으로 한다. 뿐만 아니라 낮은 출력 커패시턴스(Coss 및 Eoss)로 뛰어난 경량 부하 효율을 제공하므로 많은 시간을 최대 정격의 40퍼센트 미만으로 동작하는 디자인에 이용하기에 매우 적합하다.