Industrial Edge AI Solution Challenge 2026
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차세대 전력반도체 핵심 기술 – SiC와 GaN이 이끄는 전력 혁신
2026-01-13 10:30~12:00
김형우 센터장, 김승목 차장 / e4ds
  차세대 전력반도체 기술의 현주소와 미래   SiC와 GaN이 이끄는 전력 효율 혁신 전력 반도체는 이제 모든 산업의 핵심으로 자리 잡았습니다. 전기차, 신재생에너지, 산업 자동화 등 고효율·고신뢰성 전원이 필요한 곳에는 반드시 첨단 전력소자가 존재합니다. 이번 웨비나에서는 실리콘카바이드(SiC)..

페어차일드 반도체의 단락 애노드 IGBT 제품 – 고전력 인덕션 히팅 애플리케이션에 이용하도록 높은 신뢰성과 뛰어난 스위칭 성능 제공

기사입력2013.01.29 19:23

 고전력 고주파 인덕션 히팅(IH) 가전기기는 IH 전기 밥솥, 테이블탑 인덕션 쿠커, 인버터형 마이크로파 오븐 등과 같은 애플리케이션에서 높은 효율과 시스템 신뢰성을 달성하기 위해서 낮은 전도 손실과 뛰어난 스위칭 성능을 요구한다. 페어차일드 반도체(NYSE: FCS)의 고전압 필드 스톱 단락 애노드 트렌치(field-stop shorted-anode trench) IGBT 제품은 디자이너들이 이와 같은 설계 과제를 해결할 수 있도록 높은 효율을 달성하는 경제성 뛰어난 솔루션을 제공한다.

 1100V부터 1400V에 이르는 이들 새로운 IGBT 제품은 진성 역평행 다이오드와 함께 이용해서 매끄러운 스위칭을 달성하도록 최적화되었다. 통상적인 NPT(non-punch-through) IGBT 기술에 비해서 향상된 기술로서 페어차일드의 단락 애노드 실리콘 기술은 동일 정격의 NPT 트렌치 IGBT에 비해서 12퍼센트 이상 낮은 포화 전압을 제공한다. 또한 이들 제품은 경쟁사의 IGBT 제품과 비교했을 때 20퍼센트 이상 낮은 테일 전류 정격을 제공한다. 이러한 특성들에 의해서 페어차일드의 이들 향상된 IGBT 제품은 더 우수한 열 성능, 더 높은 효율, 낮아진 전력 손실을 달성한다.