2013년 4월 22일, 서울 – 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 10개 이상의 디스크리트  부품을 대체함으로써 시스템 디자인 및 생산 물류를 단순화하는 새로운 트랜시버 제품군을 출시했다. 이들 고집적 싱글칩 트랜시버 제품은 전력 소모가 적어 고속 데이터 전송 밀리미터파(millimeter wave) 무선 백홀(backhaul) 통신 시스템에서 고정 비용을 절감할 수 있도록 한다. 이들 트랜시버 제품은 LTE/4G 기지국과 코어 네트워크 사이에 데이터 전송속도가 1Gbps(Gigabit per second) 이상인 무선 데이터 링크에 이용하기 적합하다.

인피니언의 BGTx0 제품군은 표준적인 플라스틱 패키지로 제공되며 기존 시스템 디자인에 이용되고 있는 10개 이상의 디스크리트 부품을 싱글칩으로 대체한다. 고객들은 표준 SMT 어셈블리 플로우를 이용할 수 있어 어셈블리 공정을 크게 간소화할 수 있다.

BGTx0 제품군은 57~64GHz, 71~76GHz, 81~86GHz 밀리미터파 대역의 무선 통신에 이용하기 위한 포괄적인 RF(radio frequency) 프론트엔드를 제공한다. 이 시스템 솔루션은 더 적은 공간을 필요로 하며 LTE/4G 네트워크를 지원하는 모바일 기지국에 필요한 핵심적인 무선 백홀 링크의 신뢰성을 향상시키고 비용을 줄일 수 있도록 한다.

인피니언 테크놀로지스의 RF 및 보호 디바이스 사업부 총괄 책임자인 필립 폰 슈에르스태트(Philipp von Schierstaedt) 부사장은 “LTE/4G 백홀에 이용되는 V-band 및 E-band 마이크로파 주파수는 이전 세대 네트워크보다 3배 더 빠른 데이터 전송속도를 지원한다. 따라서 고객사들은 운영 요구사항을 충족하는 최고의 RF 성능을 필요로 한다. 새로운 트랜시버 제품군은 인피니언의 축적된 프로세스 기술과 앞선 RF 설계 기술을 활용해서 시스템 디자이너들이 백홀 커넥티비티 솔루션의 복잡성을 낮추고, 생산 공정을 간소화하고, 궁극적으로 품질과 현장 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한다.”고 말했다.

BGTx0 트랜시버는 I/Q 변조기, VCO(voltage controlled oscillator), PA(power amplifier), LNA(low noise amplifier), PGA(programmable gain amplifier), SPI 제어 인터페이스 등을 비롯한 모든 RF 빌딩 블록을 통합하였으며, 컴팩트한 플라스틱 eWLB(embedded Wafer Level Ball Grid Array) 패키지의 단일 칩으로 제공된다. RF 성능의 검증 및 교정이 생산 공정에서 BIST(built-in-self-test)를 이용해서 이루어지므로, BGTx0 트랜시버를 업체의 생산 공정에 간단하게 통합할 수 있다.

PA의 최대 18dBm 출력 파워, 6dB의 극히 낮은 LNA 잡음 지수, 100kHz 오프셋에서 -85dBc/Hz 이상의 뛰어난 VCO 위상 잡음 등 SiGe 기술의 뛰어난 RF 성능을 활용함으로써 시스템 디자이너는 10-6 BER(bit error rate)에서 샘플 속도 500Msamples/sec의 QAM64 및 1Gsamples/sec의QAM32에 이르는 고속 변조 방식을 구현할 수 있다. 1KVolt 이상의 ESD(electrostatic discharge) 성능은 견고성을 향상시키고 고객들의 시스템 설계 작업을 수월하게 한다. 또한 이들 백홀 트랜시버 제품은 전력 소모가 2W 미만으로 낮으므로 네트워크 사업자들이 관련된 고정 비용을 절감할 수 있도록 한다. 또한 이들 트랜시버의 직접 변환(direct conversion) 아키텍처는 기존 디스크리트 밀리미터파 시스템에 비해서 RF와 기저대 사이의 인터페이스를 크게 단순화할 수 있도록 한다.

또한 시스템 공급업체들은 인피니언의 차량 등급의 생산 플로우를 적용한 SiGe IC가 제공하는 품질과 신뢰성의 이점을 얻을 수 있다.

공급
BTGx0 제품군의 엔지니어링 샘플을 2013년 9월부터 공급 예정이며, 양산 착수는 올해 말로 예정되어 있다.