2014년 02월14일, 서울 – 하니웰(Honeywell)은 반도체 생산을 위해 특허 기술을 기반으로 고객에게 강도와 성능을 높이고, 제품 수명을 연장시킨 ‘구리망간(CuMn) 스퍼터링 타겟(sputtering targets)’을 선보인다고 오늘 발표했다.
 
오늘 발표된 스퍼터링 타겟은 하니웰의 ECAE(등통로각 압출: Equal Channel Angular Extrusion) 공정 기술을 기반으로 한다. ECAE 공정 기술은 하니웰이 원래 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금용으로 개발한 첨단 제조 공정이다.

크리스 라피에트라(Chris LaPietra) 하니웰 타겟 사업부 제품라인 이사는 “하니웰 일렉트로닉 머티리얼즈(HEM: Honeywell Electronic Materials)는 약 50년 이상 금속공학과 관련된 경험 및 전문지식을 축적해왔다”며 “이 축적된 지식을 활용해 고객들을 위한 기술을 개발하고 있으며, 이번에 발표된 새로운 ECAE 구리망간 타겟이 바로 그 증거”라고 밝혔다. 

ECAE공정 기술로 처리된 타겟은 입자 크기가 극도로 미세하여, 미세구조는 강한 동질성을 띄고, 기계적 강도는 높아지며, 입자는 줄어드는 결과를 낳는다. 표준 타겟용 입자 크기는 대략 50-80마이크론(micron) 사이지만, 새로운 ECAE 구리망간 타겟은 1마이크론(micron) 미만의 초미세한 입자 크기를 보여준다. 이 기술이 만들어낸 미세한 입자구조는 반도체 제조업체가 일반 본딩된(bonded) 타겟을 사용할 경우 플라즈마가 떨어져 나가는 현상을 방지해준다. 이 현상은 아크와 입자를 만들어내고, 웨이퍼 폐기 및 타겟 교체를 야기시키는데, 이 모든 것은 불필요한 비용을 발생시키는 결과를 가져온다.
 
타겟의 강도가 높아진 덕분에 동일한 금속(단일 금속)으로 타겟 전체를 만들 수 있고, 타겟의 전반적인 예상 수명도 표준1,800 kWh (킬로와트시)에서 3,600 kWh 로 사실상 두 배로 늘어난다. 제품 수명이 연장되어 생산업자들은 타겟 구매량을 줄일 수 있고, 타겟 교체 및 챔버 세척에 들이는 시간과 자원을 줄일 수 있으며, 생산공정 가동 시간을 늘릴 수 있다. 이 모든 요인은 반도체 생산업체들의 총소유비용을 줄이는데 기여한다.