2014년 02월14일, 서울 – 하니웰(Honeywell) 은 반도체 데이터 오류의 원인이 될 수 있는 알파 입자 방사선을 줄이기 위해 자사의 독점 기술을 바탕으로 새로운 ‘RadLo™ 로우 알파 도금용 양극 (Low Alpha Plating Anodes)’소재를 선보인다고 밝혔다.

이번에 선보인 반도체 패키징 웨이퍼 범핑(bumping) 애플리케이션을 위한 도금용 양극 소재는 하니웰의 RadLo 납품량을 증가시키고 있다. 여기에는 하니웰만의 독점적인 측정법과 정제 기술이 사용됐다.
 
크리스 리(Chris Lee) 하니웰의 첨단 금속 및 폴리머 사업부(Advanced Metal and Polymers)의 제품 라인 이사 는 “이 새로운 ‘로우 알파 도금용 양극’소재는 이미 주요 하청 업체에서 대량생산하고 있으며, 또한 많은 OEM 툴 제조업체들로부터 성능을 검증 받았다”며, “본 제품의 검증과 채택이 신속히 이루어졌다는 것은 하니웰이 고객들의 요구사항과 문제 해결에 크게 기여하고 있다는 것을 증명한다”고 말했다.

반도체 패키징 소재에서 나오는 알파 입자 방사선은 메모리 셀에 데이터 오류를 일으켜 소프트 에러를 발생시키고, 이는 또 다시 휴대폰, 태블릿, 서버, 게임기 등 전자 기기들의 오작동을 불러 일으킨다. 반도체의 크기는 줄어들고 기능적 요구는 늘어나면서 소프트 에러에 대한 칩의 민감도도 커지게 됐다. 이런 문제를 해결하기 위해 반도체 패키징 소재 설계자들은 하니웰의 RadLo와 같은 로우 알파 소재에 주목하게 되었다.
 
이와 같이 알파 방사선 수준이 극도로 낮은 경우, 알파 흐름을 정확하게 측정한다는 것은 오염물질과 우주방사선(cosmic ray) 같은 백그라운드 방사선 때문에 매우 어렵다. 그러나 하니웰은 철저한 측정과 공정 관리로 이런 문제를 해결하고 있다. 
 
RadLo 양극 도입은 반도체 업계가 플립 칩(flip chip) 패키징으로 이행하는 추세와 웨이퍼 범핑 애플리케이션에 전기도금을 사용하는 경우가 늘어나는 현상에도 기여한다. 하니웰은 로우 알파 납(Pb), 로우 알파 주석(Sn) 및 구리(Cu) 등의 고순도(>99.99% 순도) 금속을 이용한 웨이퍼 범핑에 사용하는 도금용 양극 제작에 우위를 점하고 있다. 로우 알파 주석(Sn) 양극은 시간당 <0.002 카운트 (<0.002 per hour/ cm2) 등을 포함해 몇 가지 로우 알파 등급으로 출시된 상태이다.