2014년 04월 28일, 서울 - 다양한 전자 애플리케이션에 걸쳐 고객들에게 기여하는 세계적인 반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 경쟁사 고주파 칩에 비해 턴오프(turn-off) 에너지 손실이 최대 40% 낮고 도통 손실(conduction losses)을 최대 30%까지 줄여주는 새로운 IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor, IGBT) HB 시리즈를 발표했다.

HB 시리즈는 ST의 첨단 트렌치 게이트 필드-스톱(Trench-Gate Field-Stop High-Speed, TGFS) 기술을 적용하여 포화 전압(Vce(sat))은 평균 1.6V까지로 매우 낮으면서도 콜렉터 전류의 턴오프 테일도 최소 수준을 유지함으로 스위칭 및 전원을 켤 때의 에너지 손실도 최소화한다. 또한, 이 훌륭한 공정 제어 기술 덕분에 주요 파라미터의 균일한 생산 관리가 가능하고 반복성이 향상되며 시스템 설계를 더욱 단순화시킬 수 있다.

ST의 HB 시리즈 IGBT는 태양광 인버터, 인덕션 히터, 용접기, UPS(Uninterruptible power supplies), PFC(power-factor correction), 그리고 기타 고주파 전력 컨버터의 에너지 효율을 향상시킨다. 전압 정격이 650V로 확장되어 주변 온도가 -40°C까지 떨어지는 경우에도 항복 전압이 최소 600V여서 추운 기후에서도 사용되는 태양광 인버터에 더욱 이상적인 칩이다. 최대 작동 접합 온도가175°C이고 SOA (Safe Operating Area)가 넓어서 신뢰성은 높이고 방열판(Heat sinks) 크기를 줄여준다.

HB 시리즈는 최대 정격 전류가 30A~80A(100°C 조건)인 제품들, 다양한 전력용 패키지 제품들 뿐만 아니라, 공진회로나 하드 스위칭 회로에 최적화된 다이오드 내장형 제품도 제공 가능하다.