2014년 07월 02일, 서울 – 다양한 전자 애플리케이션에 걸쳐 고객들에 기여하는 세계적인 반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 1200V IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor, 절연 게이트형 양극성 트랜지스터) 제품인 H 시리즈를 출시했다. 이번 새로운 제품들은 2세대 트렌치 게이트 필드-스톱 고속(Trench-Gate Field-Stop High-Speed, TGFS) 기술을 적용했다. 이를 통해 태양열 인버터, 용접기, 무정전 전원장치(UPS), 역률 교정 컨버터(PFC) 등 다양한 애플리케이션에서 에너지 효율성을 높이고 견고성도 향상될 것이다.

새로운  1200V IGBT H 시리즈는 이전 세대와 비교해서 턴-오프시 최대 15%, 턴-온시 최대 30%까지 전력 손실을 낮춘다. 일반적인 정격 컬렉터 전류 및 100°C의 온도에서 Vce(sat)(온 상태 포화 전압)을 2.1V까지 낮추기 때문에 20kHz 이상의 스위칭 주파수에서도 전반적인 전력 손실을 최소화하여 더욱 효율적인 구동이 가능하다.

새로운 IGBT 제품들은 견고성이 매우 우수하여 정격 전류의 최대 4배 수준에서도 래치 업 없이 작동하며 Tj(접합온도) 150°C 조건에서도 단락(short-circuit) 시간이 최소 5마이크로세컨드(µs) 수준이다. 최대 동작 접합부 온도는175°C 까지 증가되어 수명을 늘리고 시스템 쿨링을 간소화 해준다. 또한 넓은 안전 동작 영역(Safe Operation Area, SOA)을 확보하여 고전력이 요구되는 애플리케이션의 안정성을 강화했다.

이번 신제품은 스위칭 발생 시 동급 경쟁 제품들에 비해 훨씬 이상적인 파형을 구현해 전자파 간섭(EMI) 특성도 뛰어나다. Vce(sat)의 정 온도 계수(positive temperature coefficient, PTC)는 IGBT 간의 근접한  파라미터 선정을 통해 더욱 안전한 병렬 구성을 구현한다.