동기식 정류 어플리케이션에서 시스템 효율 및 전력 밀도를 증가시키는
페어차일드 반도체의 PowerTrench ® MOSFET

이전 솔루션 대비 66 % 향상된 특성 (FIGURE OF MERIT ) 제공

고효율 AC-DC 컨버터 같은 어플리케이션들에서 시스템 효율을 개선하고 구성 요소를 최소화하고자 하는 설계자들에게 있어서, 빠른 스위칭 속도와 더 높은 효율 및 전력 밀도를 가진 현대적인 파워 시스템 구축은 중요한 요소이다.

이러한 파워 어플리케이션을 개발하는 설계자들을 지원하기 위해서 고성능 파워 및 모바일 제품의 선도적인 글로벌 공급 업체인 페어차일드 반도체는 100V 및 150V PowerTrench® MOSFET 제품군을 확장하였다. 이 제품군들은TO-220, D2PAK, TO247, I2PAK, TO220 풀 패키지 및 D2PAK - 7L 를 포함하는 인더스트리얼 타입 패키지로 출시된다.

중간 전압(60V~200V) 파워 MOSFET의 포트폴리오 중 하나인 이 디바이스들은 작은 게이트 전하 (QG)와 작은 역회복 전하 (Qrr) 및 Soft Reverse Recovery Body Diode를 결합한 최적화된 파워 스위치들로서, AC-DC 파워 서플라이들에서 동기식 정류를 위한 빠른 스위칭을 가능케 한다.

디바이스들은 전하 균형을 제공하는 shielded-gate 구조를 적용하고 있다. 이 기술을 사용함으로써 동기 정류, 마이크로 태양광 인버터 및 오프 라인 UPS 시스템과 텔레콤 파워 디스트리뷰션(PDU/BFU 포함)과 같은 어플리케이션에서 에서 고효율 솔루션을 설계자들에게 제공한다. 디바이스의 성능을 보여주는 FOM(figure of merit) factor(QG x RDS(ON)) 값은 이전 솔루션에 대비해서 66%가 낮아졌다.

또한, 낮은 역회복 전하와 soft reverse recovery body diode 는 스너버 회로를 제거할 수 있거나, 높은 내압의 MOSFET을 대체할 수 있어서, 시스템의 효율을 높이고 BOM(bill of materials)을 줄이는 장점이 있다

첫 출시제품은 FDP083N15A_F102, FDB082N15A 그리고 FDP036N10A이며, N channel PowerTrench MOSFET 제품들이다. Shielded-gate 구조를 적용한 이 디바이스들은 낮은 Rds(on)을 유지하면서, 스위칭 속도를 높일 수 있도록, 게이트 전하량도 낮추었다. 또한 PowerTrench MOSFET 제품군은 RoHS, 할로겐 및 PB-free 패키징과 같은 환경 규제도 만족하고 있다.

오늘날 파워 어플리케이션에서 요구하는 고효율 시스템을 충족하기 위해서, 반도체 소자들도 발전하고 있다. 많은 PowerTrench MOSFET제품을 보유하고 있는 페어차일드도 이 변화 속에서 선도적으로 새로운 medium voltage용 PowerTrench MOSFET을 개발, 출시하였다.
.

Fairchild Semiconductor: The Right Technology for Your Success™.

FDP083N15A_F102
가격(개당, 1천개 수량): 3.43달러

FDB082N15A
(개당, 1천개 수량): 3.45달러

FDP036N10A
(개당, 1천개 수량): 3.50달러