SST26WF080B/040B는 SuperFlash 기술을 적용하여 경쟁 제품들과 비교해 가장 빠른 소거 시간을 제공한다. 섹터 및 블록 소거 명령은 단 18 ms에 완료하며, 전체 칩 소거 동작은 35 ms에 완료한다. 경쟁 상품들의 경우 전체 칩 소거 동작 수행에 5~15초가 소요되는 것에 비해 SST26WF080B/040B는 이보다 약 300배 빠른 성능을 제공한다. 이처럼 소거 시간이 단축되면 테스트 및 펌웨어 업데이트에 소요되는 시간이 최소화하여 제품 생산 출하량을 높일 수 있으므로 고객들은 상당한 비용을 절감할 수 있다. 

SQI 인터페이스는 고속 104 MHz 쿼드 I/O 직렬 인터페이스로 적은 수의 핀 패키지로도 데이터 처리율을 높일 수 있다. 이 인터페이스는 지연시간이 짧은 XIP(execute-in-place) 기능을 통해, RAM 디바이스에서 코드 쉐도잉(code shadowing) 없이 플래시 메모리로 즉시 프로그램을 저장하고 실행할 수 있다. SST26WF080B/040B는 병렬 플래시에서 소요되는 높은 비용과 다수의 핀 없이도 동급 x16 병렬 플래시 디바이스에 비해 빠른 데이터 처리량을 제공한다. 또한SQI 인터페이스는 기존의 직렬 주변 장치 인터페이스(SPI) 프로토콜의 하위/이전 명령 집합과도 완벽히 호환된다.

SST26WF080B/040B는 저전력으로 설계되어 휴대용 전원 애플리케이션에서 배터리 시간을 극대화한다. 대기 소비전류는 정격 10 A 이며, 딥 파워다운(deep power-down) 모드 시에는 소비전류가 정격 1.8 A까지 낮아진다. 104 MHz에서 액티브 읽기 시 소비전류는 정격 15 mA 이다. 1.8V에서 동작하는 SST26WF080B/040B는 저전력 및 소형 폼팩터 패키징 특성이 결합되어 모바일 단말기, 블루투스® 헤드셋, GPS, 카메라 모듈, 보청기, 그 외 다양한 배터리 사용 제품에 적합하다.

SST26WF080B/040B는 품질과 신뢰성이 우수하며 100년 이상의 데이터 보존 기간과 100,000회 이상의 소거/쓰기 사이클을 갖춰 내구성도 매우 뛰어나다. 유연한 데이터/코드 보호를 위해 개별 블록에 소프트웨어 쓰기 보호 기능과 2 KB 시큐어 ID 영역 OTP(One-Time Programmable) 기능이 추가됐다. 이러한 기능은 허가되지 않은 접근을 방지하고 악의적인 읽기, 프로그램 및 소거 시도를 막을 수 있다. 또한 이 제품은 소프트웨어 설계 간소화를 위해 SST26WF080B/040B의 성능과 동작에 대한 고유한 정보를 담고 있는 JEDEC-준수 SFDP(Serial Flash Discoverable Parameter) 테이블을 포함하고 있다.

마이크로칩 메모리 제품 사업부의 랜디 드윙가(Randy Drwinga) 부사장은 “마이크로칩의 저전력 1.8V 직렬 쿼드 I/O 제품 라인에 SST26WF080B/040B SuperFlash 제품을 추가함으로써 업계 최단 소거 시간을 갖는 고속 플래시 메모리로 뛰어난 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며, “소형 폼팩터 밎 저전력 기능을 갖는 이번 신제품은 사물 인터넷 애플리케이션을 포함하여 휴대용 배터리를 사용하는 차세대 임베디드 디자인에 이상적이다”고 말했다.

공급

SST26WF080B/040B는 현재 샘플 및 대량으로 공급된다. 8접점 WSON(6mm x 5mm), 8리드 SOIC(150mil), 8접점 USON(2mm x 3mm), 8볼 XFBGA(Z-Scale) 패키지가 1만개 단위 수량으로 제공되고 있다.