TI 코리아 (대표이사켄트전, Kent Chon, www.ti.com/kr) 2015년3월17일 – TI(대표이사켄트전)는업계최초로 80V, 10A 내장형질화갈륨(GaN) FET(Field-effect Transistor) 전력단 프로토타입을 출시했다고밝혔다.새롭게 선보인 전력단은 하프브리지방식으로 하나의 고주파수드라이버와 2개의GaN FET로 구성되어있으며, 설계가 간편한 QFN(Quad Flat No-leads) 패키지로 제공된다.(보다자세한정보는www.ti.com/lmg5200-pr-kr참조)

새로운 LMG5200 GaN FET 전력단은 설계공간이 제한적인고 주파산업 및 통신애플리케이션에 한층 증가된 전력밀도와 효율을 제공하는 차세대GaN전력변환솔루션 채택을 가속화하는데 기여할 것으로보인다. 이 전력단은 3월 16일부터 18일까지 미국노스캐롤라이나주샬롯에서 진행중인 APEC(Applied Power Electronics Conference, 부스#1001)에서 48V 디지털파워데모의 일부 로소개되고있다.(자세한정보는www.ti.com/APEC15참조)

TI의 고전압전원솔루션사업부부사장스티브램부스(Steve Lambouses)는 “GaN기반전원설계의가장큰걸림돌중하나가GaN FET 구동과그와관련된불확실성,그에따른패키징및설계레이아웃으로인한기생성분이었다”고말하며, “TI는설계가용이한첨단패키징으로최적화된통합모듈, 드라이버, 고주파수컨트롤러의완벽하고신뢰할수있는전력변환에코시스템을제공함으로써전원설계자가GaN기술의잠재성을실현할수있도록했다”고전했다. 

GaN장점실현

일반적으로고주파수에서스위칭하는GaN FET를사용하는개발자는링잉과전자기간섭(EMI)을피하기위해매우신중하게보드레이아웃을설계해야한다. TI의 LMG5200 듀얼 80V 전력단프로토타입은이러한문제를크게완화하며,핵심적인게이트-드라이브루프에서패키징기생인덕턴스를감소시켜전력단효율을증가시킨다. LMG5200은첨단멀티칩패키징기술을채택하여최대 5MHz 주파수의전력변환토폴로지를지원하도록최적화되었다. 

 

사용이 간편한 6mm x 8mm QFN 패키지는 언더필(underfill)이 필요없어 제조를 크게 간소화할 수있다. 작아진 풋프린트는GaN기술의 가치를 강화하면서 고주파수무선충전애플리케이션에서부터  48V 통신및산업설계에 이르기까지 다양하고 새로운 애플리케이션에서 GaN전력설계채택을 촉진시킨다. (GaN솔루션에 관한 보다 자세한 내용은www.ti.com/gan-pr참조) 

LMG5200의 주요특징  및 장점

•최고전력밀도: 업계최초통합 80V 하프브리지GaN전력단으로 실리콘기반설계보다 25% 적은전력손실로단일단변환구현가능

•신뢰성 향상을 위한 포괄적인GaN특화품질 프로그램:

•최저 패키징기생인덕턴스: 핵심적인게이트-드라이브루프에서 최저패키징기생인덕턴스를 실현함으로써 전력단 효율과dV/dt내성을 향상시키면서 EMI 감소시킴

•간소화된 레이아웃과 제조용이성:사용이 간편한 QFN 패키지로언더필(underfill)이 필요없어 고전압간격문제를 해결하고 보드제조용이성 향상 및 비용절감

툴및소프트웨어

LMG5200 평가모듈(EVM)은 현재 구입할 수 있으며,개발자는 이 기술의 성능 및 스위칭주파수이점을 시뮬레이션할 수있는 LMG5200용PSpice 및 TINA-TI모델을사용하여 보다 빠르게 설계를 시작할수있다.

공급시기 및 가격

GaN전력단의 프로토타입샘플은 현재TI store에서구입가능하다. LMG5200은개당 50달러로최대10개까지구매할수있으며, LMG5200 EVM은 299달러에판매되고있다.

TI 의 LMG5200 GaN FET 전력단에대한보다자세한정보

•TI의광범위한GaN 솔루션포트폴리오

•관련백서다운로드

oGaN FET 모듈성능이점 vs. 실리콘

oGaN 제품의신뢰성을구현하는다양한방법

oGaN의이점을이용한첨단전원공급장치솔루션

•TI E2E™ 커뮤니티질화갈륨(GaN, Gallium Nitride)에서솔루션검색, 동료엔지니어와 TI 전문가와의지식공유및문제해결