ST마이크로일렉트로닉스, 방송 및 의료 영상 장비의 수명을 연장하는 혁신적 RF 전력 MOSFET 출시

새로운 RF 전력 MOSFET 제품군, 업계에서 제일 강력한 실리콘을
열효율성 높은 패키지로 집적함으로써 신뢰성과 성능 향상

– 세계 선도적인 종합 반도체사이자 전력용 반도체의 세계 선두주자인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com)는 최신 고주파 전력 트랜지스터를 출시하였다. 이 신제품은 의료용 스캐너나 플라즈마 발생기 등의 고전력 무선 주파수 장비들이 가동 시간과 성능을 향상시키고 비용을 절약할 수 있도록 지원한다.

ST의 최신 RF 전력 MOSFET는 ST의 업그레이드된 공정 기술을 적용하여 최대 200V에 이르는 피크 전압을 견딜 수 있게 되었다. 이는 경쟁 제품 보다 최소 20% 높은 수준이다. 이와 같이 견고성이 향상됨으로써 전력 트랜지스터의 작동 수명을 연장할 수 있게 되었고 장비 중단 시간과 유지비용을 줄일 수 있게 되었다. 또한 첨단 공정 기술을 적용하여 MOSFET의 이득, 효율, 고전력 특성을 향상시킴으로써, 장비 성능을 향상시키고 설계를 간소화할 수 있게 되었다.

신제품 RF 전력 MOSFET는 최신 밀봉 세라믹 패키지와 STAC® (ST Air Cavity) 패키지 기술을 이용함으로써 다이로부터 열 에너지를 빠르게 제거함으로써 신뢰성을 향상시킨다. 이를 통하여 장비 유지비용도 절약할 수 있다.

SD4931과 SD4933은 최대 250MHz에 이르는 50V DC 대신호 애플리케이션에 이용할 수 있는 150W 및 300W N-채널 RF 전력 MOSFET이다. SD4931과 SD4933은 ST의 향상된 수직 실리콘 공정 기술의 이점을 적용하여 "bolt-down" 탑재가 가능하도록 테두리가 있는 밀봉 세라믹 패키지로 제공된다.

STAC4932B와 STAC4932F는 ST의 STAC 패키지를 활용하여 "bolt-down" 및 "flangeless (테두리 없는)” 버전으로 공급되며, 레이저 구동이나 MRI (medical resonance imaging) 같이 전력 정격이 1000W 이상에 달하는 100V 펄스 애플리케이션에 이상적이다. STAC 패키지는 열 베이스를 이용해서 히트싱크로 직접 솔더링이 가능하므로 높은 열 및 전기적 효율을 달성함으로써 MOSFET가 고주파로 높은 신호 전력을 발생시킬 수 있으며 전체적인 작동 수명에 걸쳐서 신뢰성