전도 및 스위칭 손실을 최소화시키기 위한 페어차일드 반도체의 60V PowerTrench®
MOSFET 파워서플라이

-실장면적 감소, 더 높은 전력밀도제공 및 디자인효율성 증대

DC-DC 파워 서플라이, 모터제어, Hot Swap, 로드 스위치 어플리케이션 및 서버에서의 2차 동기 정류 관련 파워 설계자들은 설계상 효율을 극대화시키기 위해 전도 및 스위칭 손실이 낮은 MOSFET을 필요로 한다.

이러한 요구를 만족하기 위해, 고성능 파워 및 모바일 제품의 선두주자인 페어차일드 반도체에서는 N-ch PowerTrench® MOSFET 인 FDMS86500L을 출시하였다. 이 제품은 전도 손실 및 스위치 단의 ringing을 최소화하여 DC-DC 컨버터의 전체적인 효율을 개선하기 위해 설계되었다.

FDMS86500L은 페어차일드의 선도적인 패키지와 실리콘 기술을 통해 Power56 (5mm x 6mm )의 산업 표준 패키지에서2.5mΩ (@ VGS = 10V, ID = 25A)이라는 낮은 RDS(ON)으로 전도 손실을 최소화 시킬 수 있다.

또한, FDMS86500L의 shielded-gate MOSFET 구조는 스위칭 손실도 줄일 수 있다.(typ.Qgd,14.6nC). 이러한 특성이 제품의 낮은 전도 손실 특성과 함께 파워 서플라이 설계자들에게 좀 더 높은 전력밀도를 제공한다.

FDMS86500L은 개선된 FOM(RDS(ON) * QG)으로 효율 기준과 규정에 맞게 고 효율과 낮은 전력손실을 제공한다.

FDMS86500L의 또 다른 특징으로는 recovery손실을 줄이기 위한 개선된 바디 다이오드 기술, MSL 1의 robust패키지 디자인, 100% UIL 테스트 및 RoHS기준을 포함하고 있다.

FDMS86500L은 페어차일드에서 새롭게 출시할 60V MOSFET 포트폴리오 중 첫 번