2015년5월 21일 – 신호 처리 애플리케이션용 고성능 반도체 분야 글로벌 선도 기업인 아나로그디바이스 (www.analog.com, NASDAQ: ADI)는 새로운 SPDT(single-pole double-throw) 스위치를 공개했다. 9KHz~13GHz의 주파수 대역에 특화된 이 제품은 8GHz에서0.6dB의 낮은 삽입 손실(insertion-loss)과 48dB의 높은 절연(Isolation) 특성을 제공한다. HMC1118LP3DE는 ADI의 RF 및 마이크로파 제어 제품군 중에서 처음으로 기존의GaAs(gallium-arsenide) RF 스위치 성능을 훨씬 능가하는 실리콘 공정 기술(Silicon Process Technology)의 장점을 선보인 제품이다. 특히, GaAs보다 100배 빠른 정착 시간, 2kV의 안정적인 정전기(ESD) 보호기능(GaAs는 250V), 그리고GaAs대비 저주파수 영역을1000배나 낮춘 주파수 확장성과 함께 스위치의 선형성은 높게 유지하는 등 주요 사양 면에서 GaAs RF 스위치 대비 훨씬 뛰어난 성능을 자랑한다.

 

 이외에도 HMC1118LP3DE는 스위칭 되지 않고 항상 ON인 모드에서 4W, 그리고 핫 스위칭(Hot-switching)의 동작 모드에서는 0.5W의 RF 전력을 견딜 수 있는 업계 최고 수준의 SPDT 스위치 이다.     핫 스위칭 동작 시 전력 처리 능력은 유사한 RF 대역의 경쟁 제품보다 두 배 이상 뛰어나기 때문에 엔지니어들은 부품 손상에 대한 리스크 없이 애플리케이션과 시스템에서 RF 전력의 허용치를 증가시킬 수 있다. HMC1118LP3DE는 최저 안정적인 동작 주파수 영역인9kHz로 부터 최대 13GHz의 높은 동작 주파수 범위까지 높은 절연특성(Isolation)과 매우 균일한 전달 특성을 제공할 수 있도록 최적화되었다. 이러한 특성들 덕분에 HMC1118LP3DE는 높은 시스템 사양을 요구하는 시험 과 측정, 자동화 테스트 장비(ATE), 방산 전자 (defense electronics) 그리고 무선 통신용 스위치로, 고가의 GaAs 스위치 대신 저렴한 가격으로 대체 하기에 적합하다.

 

HMC1118LP3DE SPDT 스위치의 주요 사양

- 50Ω의 무반사(non-reflective) 설계

- 포지티브 제어(positive control): 0/+3.3 V

- 낮은 삽입 손실: 8GHz에서 0.68dB

- 높은 절연특성(isolation): 8GHz에서 50dB

- 9KHz의 낮은 차단 주파수

- 최종 RF 출력 수준을 0.05dB로 맞추기 위해 필요한 7.5usec의 빠른 정착 시간

- 업계 선도의 높은 전력 처리 능력:

스위칭 되지 않고 항상 ON인 모드인 through 패스에서 +35.5dBm

핫 스위칭 모드인 terminated 패스에서 +27dBm

- 높은 선형성:

P1dB: +37dBm(typ.)

IIP3: +61dBm(typ.)

ESD 정격: 2KV HBM