실리콘 소자보다 더 빠른 스위칭과 쉬운 소형화가 가능

마우서 일렉트로닉스(Mouser)가 파나소닉의 질화 갈륨(GaN) 솔루션의 판매를 시작한다고 발표했다. 
 
최신 파워 서플라이 설계가 필요로 하는 효율성과 전력 밀도에 부합하기 위해, 많은 설계 엔지니어들이 GaN 기술과 같이 다양한 산업용 및 가전 파워-스위칭 시스템에서 시스템의 크기를 줄이고 에너지를 절약 하는데 도움이 되는 기존의 MOS 기술의 대안을 찾고 있다. 
 
파나소닉의 GaN 솔루션은 엔지니어들이 파워 서플라이, 태양열 발전 인버터, 모터 드라이브 그리고 전기자동차와 같은 다양한 파워 애플리케이션에서 에너지 손실을 줄이기 위해 사용할 수 있는 파워 트랜지스터, 게이트 드라이버, 그리고 평가 보드로 구성되어 있다.
 
Mouser가 판매하게 될 파나소닉 GaN 솔루션은 질화 갈륨 화합물 실리콘 기질과 기존의 실리콘 소자보다 더 빠른 스위칭과 쉬운 소형화가 가능하도록 높은 붕괴점 전압과 낮은 전도 저항 성질의 화합물을 실리콘 기판에 구현한 것이다.
 
PGA26E19BA GaN 표면 실장(SMD) 파워 트랜지스터는 강화된 모드의 제품으로 600V 차단 전압에서 파워 스위치를 차단시킨다.  조만간 Mouser에서 주문 가능하게 될 파나소닉의 PGA26C09DV GaN 파워 트랜지스터 또한 600V 차단 전압을 제공하고 전류 와해를 방지하면서도 소형의 TO-220 패키지로 출시되는 소자이다.
 
두 소자 모두 제로 회복 손실을 자랑하며 파나소닉의 자체 게이트 인젝션 트렌지스터 기술을 사용해 낮은 온상태 저항값을 얻는다. 이 기술은 또한 고전압의 애플리케이션에서 온-저항을 높이는 전류 와해를 방지하며 고전압에서 질화 갈륨 소자의 안전한 동작을 보장한다.
 
한편 Mouser는 최소한의 외부 부품을 이용해 표면 실장을 하거나 또는 T0-220 GaN 트랜지스터를 구동시키도록 특화된 파나소닉의 고속 게이트 드라이버 AN34092B도 판매 중이다.
 
이 싱글-채널 고속 게이트 드라이버는 정전류원 및 마이너스 전압 회로망을 집적해 외부 저항기로 조절 가능한 전원 전류원 (2.5mA 부터 25mA까지)도 제공한다. AN34092B 게이트 드라이버는 부족 전압 잠금, 과열로 인한 셧다운 보호 기능은 물론 VR 핀 전압 및 마이너스 전압을 위한 모니터링 회로도를 제공한다.
 
PGA26E19BA SMD 트랜지스터와 AN34092B 게이트 드라이버는 Mouser에서 구매 가능한 PGA26E19BA-SWEVB006 쵸퍼 평가 보드의 지원을 받는다. PGA26E19BA-SWEVB006 평가 보드는 온보드 AN34092B 게이트 드라이버를 통해 강화된 성능의 PGA26E19BA 트랜지스터의 스위칭 성질을 평가하는 엔지니어들을 위한 플랫폼을 제공한다.
 
엔지니어들은 턴온 및 턴다운 상태 모두에서 PGA26C09DV TO-220 트랜지스터의 스위칭 특성을 PGA26C09DV-SWEVB001 평가 보드를 이용해 테스트 할 수 있다.