KLA-Tencor Corporation이 10nm 이하 집적회로의 개발 및 대량 제조를 가능하게 하는 측정 시스템으로 Archer 600 오버레이 계측 시스템, WaferSight PWG2 패턴 웨이퍼 기하학 측정 시스템, SpectraShape 10K 광학적 임계치수 측정 시스템 및 SensArray HighTemp 4mm 현장 온도 측정 시스템을 발표했다. 4가지 새로운 시스템은 자체 정렬 4중 패턴화(SAQP) 및 극자외선(EUV) 노광과 같은 첨단 패턴화 기술을 지원할 수 있도록 한다.



Archer 600은 이미지 기반의 오버레이 계측 기술을 새로운 광학 및 측정 대상으로 확장하여 칩 제조사가 첨단 로직 및 메모리 기기를 위한 3nm 이하의 OPO(on-product Overlay) 에러를 구현할 수 있도록 한다.

WaferSight PWG2는 종합적인 웨이퍼 스트레스 및 형상의 데이터를 생산하여 필름 증착, 열강화, 모니터링 및 매칭을 가능하게 한다. 생산성 향상으로 생산에서 웨이퍼 샘플링을 증가시켜 칩 제조사가 패턴 공정 및 수율에 생길 수 있는 공정 유발 웨이퍼 스트레스 변화를 파악하고 교정하도록 돕는다. 또한 웨이퍼 형상 데이터는, 노광 장비에 3D NAND의 고적층 구조에 따른 웨이퍼의 변형으로 오버레이 에러 감소에 사용될 수 있다.

SpectraShape 10K 광학 기반의 계측 시스템은 식각, 화학기계적 평판화(CMP) 및 기타 공정 단계에 따르는 복잡한 IC 소자 구조의 임계치수(CD) 및 삼차원 구조를 측정한다. 새로운 편광기능 및 다중 입사각을 장착한 타원계, 그리고 새로운 고휘도 광원의 TruNI 광간섭 두께 측정기를 포함하는 광학 기술을 채택했다.

SensArray HighTemp 4mm 무선 웨이퍼는 고급 T/F 공정에 대한 시간적 공간적 온도 정보를 제공한다. 온도 범위가 20°C ~ 400°C로 공정 및 패턴 성능에 영향을 줄 수 있는 열 변화량으로 공정 특성 및 설비 검증이 가능하다.

KLA-Tencor의 마케팅 책임자 오레스테 돈젤라는 "패턴화 오류를 이해하기 위해, 칩제조사는 공정 변수를 정량화하고, 출처를 가려내고 근본 문제를 해결해야 한다.”며 “새로운 계측시스템이 193i 다중 패턴화 성능을 견인하고 조기 EUV 노광 결과의 기초를 제공하는 데 있어 핵심적인 역할을 한다”고 말했다.