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ADI, 150V 전압까지 동작 가능한 고속하이사이드 MOSFET 출시

기사입력 2017.06.08 15:12

아나로그 디바이스는 최대 150V 공급 전압까지 동작이 가능한 고속 하이사이드(high-side) N채널 MOSFET 드라이버 LTC7000/-1를 출시한다고 밝혔다. 이 제품의 내부 차지 펌프(charge pump)는 외부 N채널 MOSFET 스위치를 완벽하게 구동하여 항상 온(ON) 상태를 유지할 수 있도록 해준다. LTC7000/-1의 강력한 1Ω 게이트 드라이버는 짧은 전환 시간 내에 게이트 커패시턴스가 큰 MOSFET를 구동할 수 있어 고주파 스위칭 및 무접점 스위치(static switch) 애플리케이션에 이상적이다. LTC7000/-1은 3.5V ~ 15V의 바이어스 전압 및 3.5V ~ 135V, 150VPK의 입력 공급 전압에서 동작한다. 이 제품은 외부 MOSFET의 드레인과 직렬 연결로 되어 있는 외부 감지 저항으로 전압을 모니터링함으로써 과전류 상태를 검출해낸다. LTC7000/-1은 접지 기반(ground-referenced)의 저전압 디지털 입력 신호를 수신해 신속히 하이사이드 N채널 파워 MOSFET를 구동하며, 이때 MOSFET의 드레인 전압은 GND 대비 최대 150V 까지 허용된다. 상승 및 하강 속도는 13ns로 매우 빠르기 때문에, 1,000pF 의 부하를 구동할 때 스위칭 손실을 줄일 수 있다

내부차지펌프로 N채널 MOSFET 스위치 온 상태 유지

아나로그 디바이스는 최대 150V 공급 전압까지 동작이 가능한 고속 하이사이드(high-side) N채널 MOSFET 드라이버 LTC7000/-1를 출시한다고 밝혔다. 

이 제품의 내부 차지 펌프(charge pump)는 외부 N채널 MOSFET 스위치를 완벽하게 구동하여 항상 온(ON) 상태를 유지할 수 있도록 해준다. LTC7000/-1의 강력한 1Ω 게이트 드라이버는 짧은 전환 시간 내에 게이트 커패시턴스가 큰 MOSFET를 구동할 수 있어 고주파 스위칭 및 무접점 스위치(static switch) 애플리케이션에 이상적이다. 

LTC7000/-1은 3.5V ~ 15V의 바이어스 전압 및 3.5V ~ 135V, 150VPK의 입력 공급 전압에서 동작한다. 이 제품은 외부 MOSFET의 드레인과 직렬 연결로 되어 있는 외부 감지 저항으로 전압을 모니터링함으로써 과전류 상태를 검출해낸다.

LTC7000/-1은 접지 기반(ground-referenced)의 저전압 디지털 입력 신호를 수신해 신속히 하이사이드 N채널 파워 MOSFET를 구동하며, 이때 MOSFET의 드레인 전압은 GND 대비 최대 150V 까지 허용된다. 상승 및 하강 속도는 13ns로 매우 빠르기 때문에, 1,000pF 의 부하를 구동할 때 스위칭 손실을 줄일 수 있다 
#ADI
김지혜 기자
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