고성능 MOSFET 드라이버로 높은 효율과 신뢰성을 달성하고
최대 100V 서지(Surges)로부터 전원 시스템 보호

TI 코리아 (www.ti.com/ww/kr) 2012년 1월 9일 – TI는 고밀도 절연형 전원 공급장치에서 효율 및 신뢰성을 향상시키는 차세대 2-출력 게이트 드라이버 3종을 출시하면서 MOSFET 드라이버 포트폴리오를 확대했다.

최초의 120V 부트 하이-사이드/로우-사이드 MOSFET 드라이버
UCC27210과 UCC27211은 업계 최초의 120V 부트 하이-사이드 및 로우-사이드 2-출력 MOSFET 드라이버로 최대 4A에 이르는 출력 전류를 공급할 수 있으며, 드라이버 입력 단자에서 -10VDC를 수용할 수 있다. 이 드라이버는 다중의 고주파 하프-브릿지 및 풀-브릿지 전원 토폴로지를 지원하며, 매우 빠른 18ns 전달 지연(propagation delay) 시간의 특성을 갖고 있다. 그러므로 100V 서지를 견딜 수 있어야 하는 통신, 서버, 산업용 전원 공급장치 설계에 이용했을 때 효율과 신뢰성을 향상시킬 수 있다. (샘플, PSpice 과도전류 모델, 평가 모듈에 대한 보다 자세한 정보는 www.ti.com/ucc27210-pr 참조)

UCC27210/1의 주요 기능:
• 업계 최초 120V 정격 4A 하이-사이드/로우-사이드 드라이버(TTL 및 pseudo-CMOS 호환 입력 버전)로 N-채널 하이-사이드 및 로우-사이드 FET 모두 구동 가능
• 0.9의 풀업 및 풀다운 저항 특성으로 MOSFET이 밀러 플래토(Miller Plateau) 영역을 통과할 때 스위칭 손실 최소화
• 시스템 신뢰성 향상: 입력이 -10VDC를 지원하므로 정류 다이오드 없이 게이트-드라이버 트랜스포머로 직접 인터페이스 가능

고전류를 보다 빠르게 구동
TI는 또한 2차측의 동기 정류기 MOSFET 및 IGBT 전원 스위치에 이용할 수 있도록 업계에서 가장 빠른 5A 듀얼 채널 로우-사이드 드라이버를 출시했다. UCC27524 드라이버는 12ns의 빠른 전달 지연(propagation delay), 6ns 상승 시간(rising time), 1ns 출력 지연 매칭을 특징으로 낮은 펄스 왜곡 및 높은 효율성을 제공한다. 이 드라이버는 4.5V~18V 동작 전압을 지원하며 2개의 출력을 결합함으로써 모터 드라이브 시스템 같은 10A 애플리케이션을 구동할 수 있다. (샘플, PSpice 과도전류 모델, 평가 모듈에 대한 보다 자세한 정보는 www.ti.com/ucc27524-pr 참조)

UCC27524의 주요 기능:
•  고전류 및 고성능: 5A 피크의 소스 및 싱크 구동 전류와 고효율성을 제공하고 4.5V~18V 입력 범위를 지원하며, 출력을 병렬로 결합함으로써 더 높은 전류 구동 가능
• 매우 빠른 속도: 12ns 정격 전달 지연, 6ns 정격 상승 시간, 2개 채널 사이에 1ns에 불과한 정격 출력 지연 매칭 성능
• 소형: 산업표준 8핀 SOIC 및 PDIP 패키지

가격 및 공급시기
UCC27210과 UCC27211은 8핀 또는 10핀, 4mm x 4mm 8핀 SON 및 8핀 SOIC 패키지로 제공된다. UCC27524는 산업표준 8핀 WSON 및 PDIP 패키지로 제공된다. 3mm x 3mm, 8핀 WSON은 1분기 이후에 이용 가능하다. 가격은 UCC27210/1은 1,000개 수량 기준으로 1.5달러이고 UCC27524는 0.7달러이다.