울트라북이나 노트북 같은 애플리케이션의 디자이너들은 두께가 더욱 더 얇은 최종 시스템을 달성하기 위해서 전원장치 디자인의 인덕터 높이를 낮추어야 하는 과제에 직면해 있다. 페어차일드 반도체 (NYSE: FCS)의 FDMF6708N 2세대 XS™ DrMOS 제품군은 고전류 고주파 동기 벅 DC-DC 애플리케이션에 이용할 수 있도록 완벽하게 최적화된 통합적인 MOSFET + 드라이버 전력 스테이지 솔루션이다. FDMF6708N은 열 향상 6mm x6mm PQFN Intel® DrMOS v4.0 표준 패키지로 드라이버 IC, 2개 전력 MOSFET, 부트스트랩 쇼트키 다이오드를 통합하고 있다.

FDMF6708N은 실장공간을 50퍼센트 줄일 수 있으면서 높은 스위칭 주파수와 높은 전력 밀도를 제공한다. 또한 이 디바이스는 ZCD(Zero Cross Detect) 기능을 이용해서 경량 부하 효율을 향상시키고 그럼으로써 배터리 시간을 연장할 수 있도록 한다. 또한 이 디바이스는 기존의 디스크리트 솔루션과 달리 최신 제어 FET 및 SyncFET™ 기술을 이용해서 풀 부하 시에 높은 효율을 달성하고 클립 본드 패키징을 이용해서 소스 인덕턴스를 낮출 수 있도록 한다. 기존의 디스크리트 솔루션은 더 넓은 PCB 공간, 더 긴 레이아웃 트레이스, 더 높은 인덕턴스, 더 많은 부품들을 필요로 하며 로우프로파일 자기 소자를 사용하기 위해서 높은 주파수가 요구됨으로써 열 성능을 떨어트리는 결과를 야기한다.

PQFN 6mm x 6mm 패키지로 제공되는 FDMF6708N 디바이스는 가장 근접한 경쟁사 제품과 비교해서 피크 부하(15A) 시의 효율은 2.5퍼센트 더 우수하고 풀 부하(30A) 시의 효율은 6퍼센트 더 우수하다. 이 디바이스는 20V 입력 전압이라 하더라도 600KHz~1.0MHz 스위칭 주파수를 필요로 하는 애플리케이션에 이용할 수 있다. 그러므로 디자이너들이 더 소형의 높이가 낮은 인덕터와 커패시터를 사용할 수 있으므로 솔루션 크기를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 열 성능을 향상시킬 수 있다. FDMF6708N 디바이스를 이용함으로써 더욱 더 냉각이 뛰어나고, 두께가 얇고, 에너지 효율이 우수한 울트라북을 구현할 수 있을 것이다.

이 디바이스 제품에 관한 더 자세한 내용이나 샘플 주문에 관해서는 http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6708N.html에서 볼 수 있다.

주요 특징 및 이점

• 1.0MHz 이상의 스위칭 주파수가 가능하므로 전체적인 솔루션 크기를 줄일 수 있으므로 최대 50퍼센트의 보드 공간을 절약할 수 있으며 인덕터 높이를 낮춤으로써 더욱 더 두께가 얇은 시스템을 달성할 수 있다.

• Zero Cross Detect(ZCD) 회로를 채택함으로써 경량 부하 효율을 향상시킨다.

• PQFN 6mm x 6mm Intel® DrMOS v4.0 표준 실장공간의 멀티 소스 솔루션 멀티칩 모듈

• 가장 근접한 경쟁사 제품과 비교했을 때 피크 부하(15A) 시의 효율은 2.5퍼센트 우수하고 30A 풀 부하(19Vin, 1Vout, 800KHz) 시의 효율은 6퍼센트 우수하므로 배터리 시간을 연장할 수 있다.

페어차일드 반도체의 2세대 XS™ DrMOS 시리즈는 오늘날 디자인의 높은 에너지 효율과 폼팩터 요구를 충족할 수 있는 앞선 기술을 제공할 것이다. 2세대 XS DrMOS 디바이스와 더불어서 페어차일드는 전력에 민감한 애플리케이션의 에너지 절약을 극대화할 수 있도록 포괄적인 유형의 에너지 효율 전력 아날로그 부품, 전력 디스크리트 부품, 광전자 부품 솔루션을 제공하고 있다.

Fairchild Semiconductor: Solutions for Your Success™

가격: 1천 개 수량일 때 개당 1.86달러

공급: 현재 샘플 주문 가능

납기: 수주 후 8~12주