삼성전자와 SK하이닉스의 팹 장비 투자액 증가로 한국에서 투자 급증
 
국제반도체장비재료협회(SEMI)I는 세계 팹 전망(World Fab Forecast) 보고서는 2017년 전세계 팹 장비 투자액이 역대 최고치인 570억에 달할 것이라고 밝혔다.
 
높은 반도체 수요, 메모리 가격 강세, 치열한 경쟁이 높은 수준의 팹 투자를 주도하는 원동력으로 작용하고 있으며, 많은 기업들이 신규 팹 건설 및 팹 장비를 위해 이전에는 볼 수 없던 수준의 투자를 하고 있다.
 
세계 팹 전망(World Fab Forecast) 데이터에 따르면 2017년 팹 장비 투자액이 전년 대비 41% 증가한 총 570억 달러이다. 2018년 투자액은 11% 증가한 630억 달러로 예상된다.
 
인텔, 마이크론, 도시바(웨스턴 디지털), 글로벌 파운드리를 비롯한 많은 기업이 2017년과 2018년에 팹 투자를 증가시키고 있지만, 투자액 증가는 대체로 한 지역의 두 업체에서 집중적으로 나타난다.
 
SEMI 데이터에 따르면, 투자 급증은 한국에서 나타나고 있으며, 주요 원인은 2017년 80억 달러에서 180억 달러로 팹 장비 투자액을 128% 증가시킬 것으로 예상되는 삼성이다. SK 하이닉스 역시 팹 투자액을 약 70퍼센트 증가시켜 역대 최고 투자 수준인 55억달러를 기록하였다. 삼성과 SK 하이닉스는 대부분의 투자를 한국에서 실시하지만, 일부는 중국과 미국에 투자할 전망이다. 삼성과 SK 하이닉스 모두 2018년에도 높은 수준의 투자를 유지할 것으로 기대된다.
 
2018년 중국은 2017년에 건설된 팹에 장비를 도입하기 시작할 것으로 예상된다. 예전에는 비 중국계 기업이 중국내 팹 투자의 대부분을 차지하였다. 그러나 사상 처음으로 2018년 중국계 디바이스 제조업체가 비 중국계 업체와 팹 장비에 거의 비슷한 금액을 투자하면서 비등한 수준에 접근할 것이다. 2018년 중국계 기업은 58억 달러를 투자할 전망이며, 비 중국계 업체는 67억 달러를 투자할 것으로 보인다. 양쯔강메모리테크놀로지(Yangtze Memory Technology), 푸젠진화반도체(Fujian Jin Hua), 후아리 마이크로일렉트로닉스(Hua Li) 허페이창신 메모리(Hefei Chang Xin Memory) 등 다수의 신생 업체들이 이 지역에서 큰 규모의 투자를 하고 있다.
 
2017년과 2018년 역대 최고 장비투자액은 첨단 디바이스에 대한 수요가 증가하고 있음을 보여준다. 이러한 투자는 신규 팹 건설을 위한 투자액의 전례 없는 증가에 뒤 이은 것으로, 건설 관련 내용 역시 SEMI 세계 팹 전망(World Fab Forecast) 보고서에 상세히 담겨있다. 중국이 2017년에는 60억, 2018년에는 66억달러를 주도적으로 건설에 투자하면서, 건설에 대한 투자액도 역대 최고치를 경신하며 새로운 기록을 세울 전망이다. 그 어떤 지역에서도 이전에는 건설을 위하여 한 해 60억 달러 이상 투자한 기록이 없다.