2012년 5월 22일, 서울 - 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolSiC™ 1200V SiC JFET 제품군으로 SiC(Silicon Carbide) 제품 분야에서의 시장 선도력을 더욱 강화할 수 있게 되었다. 이 혁신적인 제품군은 인피니언이 십년 이상 SiC 기술 개발 분야에서 축적한 기술력과 고품질 대량생산에서 쌓아온 역량을 바탕으로 하고 있다.

인피니언 테크놀로지스의 고전압 전력 변환 제품 사업부문장인 얀-빌헬름 레이나에르트(Jan-Willem Reynaerts)씨는 “인피니언은 효율적인 전력 관리를 필요로 하는 시장을 겨냥해서 끊임 없이 혁신적인 기술들을 개발해 왔다. CoolSiC™는 매우 혁신적인 기술로 태양광 인버터의 성능을 한 차원 향상시킬 수 있도록 설계되었다. 인피니언의 새로운 SiC JFET 기술은 고객들이 차세대 환경 보호 솔루션을 개발할 수 있도록 한다.”라고 말했다.

새로운 CoolSiC™ 1200V SiC JFET 제품은 IGBT와 비교해서 스위칭 손실이 매우 낮아 전반적인 시스템 효율은 떨어뜨리지 않으면서 더욱 높은 스위칭 주파수를 이용할 수 있다. 이는 더 작은 수동 소자들을 이용할 수 있도록 하고, 따라서 전체적인 솔루션 크기와 무게를 줄이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 또는 동일한 인버터 하우징으로 더 높은 출력의 전력 솔루션을 구현할 수 있다.

항상 온(On) 상태인 JFET 기술을 안전하고 편리하게 이용할 수 있도록 하기 위해서 인피니언은 직접 구동(Direct Drive) 기술이라고 하는 개념을 개발했다. 이 기술은 JFET에 외부 저전압 MOSFET 과 전용 드라이버 IC를 결합함으로써 안전한 시스템 스타트업 조건을 달성하고 빠르게 제어된 스위칭을 가능하게 한다.

CoolSiC™ JFET 제품은 모놀리식으로 통합된 바디 다이오드를 특징으로 하며, 외부 SiC 쇼트키 배리어 다이오드와 비슷한 수준의 스위칭 성능을 달성하였다. 따라서 최상의 효율, 신뢰성, 안전성, 사용 편의성을 제공한다.

공급
CoolSiC™ JFET 제품과 드라이버 IC 제품의 샘플을 2012년 2분기부터 공급할 예정이다. OEM 양산 착수는 2013년 상반기로 예정하고 있다.

인피니언의 새로운 CoolSiC™ 1200V SiC JFET 제품군에 관한 더욱 더 자세한 내용은 www.infineon.com/coolsic에서 제공된다.