2012년 7월 3일, 서울 - 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 저잡음 증폭기(LNA, Low Noise Amplifier) 애플리케이션을 위한 새로운 SiGe:C(Silicon-Germanium: Carbon, 실리콘게르마늄 탄소) HBT(hetero-junction bipolar transistor) 디바이스 시리즈를 출시했다. 신형 BFx840xESD 시리즈는 현재 및 차세대 WiFi® 액세스 포인트와 모듈을 포함해 5~6GHz 범위에서 동작하는 소비가전 무선 제품을 위해 최적화되었다.

새로운 트랜지스터를 사용하면 설계자들은 전체 WiFi 시스템의 성능을 향상시켜, 곧 발표될 IEEE 802.11ac 표준에 정의되어 있는 보다 넓은 커버리지 영역과 매우 높은 쓰루풋을 모두 달성할 수 있다. 새로운 디바이스의 추가적인 애플리케이션으로는 WiMAX, UWB 무선, 위성 통신 등이 있다.

인피니언의 8세대 SiGe:C 공정 기술은 5GH 대역의 고유한 전력 및 잡음 매칭 기능을 통해 제작되었기 때문에 WiFi LNA 애플리케이션 회로에서 단지 8개의 외부 수동 소자와 단일 인덕터만(경쟁제품 대비 4개 적음)으로 최상의 시스템 성능(18dB 이득 및 0.96dB 잡음 지수)을 달성한다.

인피니언 테크놀로지스의 RF 트랜지스터 솔루션 마케팅 담당인 호셈 쵸익(Houssem Chouik)씨는 “인피니언 SiGe:C 포트폴리오의 진화는 설계자들에게 콤팩트한 저전력 무선 시스템에서 RF 성능 목표를 달성할 수 있는 수단을 제공한다.”면서 “인피니언의 8세대 HBT 공정 기술에 기반하고 있는 이들 신형 디바이스들은  경쟁 제품들의 RF 성능 수준 이상을 충족 하였으며, 시스템 설계에 필요한 수동 소자의 수를 줄임으로써 비용을 절감한다.”고 말했다.

디바이스 레벨에서 측정 시 신형 BFx840xESD 시리즈 트랜지스터는 22dB~23dB의 최대 이득을 달성하며, 5GHz 대역에서 0.65dB~0.85dB의 최상의 잡음 지수를 제공한다. 이를 통해 엔지니어들은 손쉽게 2dB 이하의 전체 시스템 잡음 지수를 달성 할 수 있다. 이들 트랜지스터를 사용하는 WiFi LNA는 다른 이용 가능한 솔루션보다 50% 적은 외부 부품만을 필요로 한다.

주요 특성
시스템 신뢰성과 설계 유연성에 기여하는 BFx840xESD 시리즈의 기능들은 다음과 같다:
• 최대 1.5kW HBM(human body model)의 온-칩 ESD(electrostatic discharge) 보호 기능과 20dBm의 RF 전력 오버드라이브 처리 성능
• 성능 저하 없이 최소 1.2V의 공급 전압을 통한 동작은 배터리-구동 시스템에 탁월
• 3개의 각기 다른 패키지 타입으로 제공: 표준 SOT-343, 플랫-리드 TSFP-4-1, 그리고 RF 모듈 애플리케이션을 위한 최저-높이(0.31mm) TSLP-3-9