애질런트 B1505A를 이용한 Wide Band-Gap 파워 소자의 전기적 특성 측정

2014-04-22 10:30~14:00

Keysight / 김진홍 부장

웨비나정보 웨비나Q&A

김*완2014-04-22 오전 11:39:17
Cap 측정시 따로 Calibration을 진행해야 되는지요 ?
agilent02014.04.22
매번 하실 필요는 없습니다. 하지만, 측정cable을 변경하시거나 소자를 제외한 나머지 부분의 part를 변경하실 경우 그리고 측정하실 cap이 sub pF이하의 낮은 측정인 경우 B1505A에 있는 correction을 이용하시면 됩니다.
김*규2014-04-22 오전 11:35:51
오늘 소개해 주신 B1505A는 2012년 업계 최초로 발표된 장비로 알고 있습니다만 이후 타사에서 발표된 장비와 비교 우위에 있는 장점은 어떤게 있는지요 ?
agilent02014.04.22
정식 release는 2009년도입니다. 2012년에는 spec확장이 되었습니다.장정은 option에 따라서 현재 나와있는 curve tracer모델중 가장 광범위한 영역을 지원하고, high voltage CV를 지원합니다. 그리고 fast switching을 이용한 current collapse측정과 device 온도 측정기능이 있습니다.
김*완2014-04-22 오전 11:29:26
Ron 측정 시 zig의 internal 저항이 보상이 되어 있는지요?
agilent02014.04.22
4 단자 측정에서 sense단을 device에 가장 가깝게 하시면 크게 보상하실 필요는 없습니다. 일반적인 line저항과 접촉저항 성분을 제거하기위해 사용하는 방법이라서요.
sang***2014-04-22 오전 11:27:22
커런트 커랩스 측정시 전압소스에서 전류소스로 변환시 문제가 되지 않나요? 소스변환시간이 빨라서 문제가 없나요?
agilent02014.04.22
현재 최소 20usec의 스위칭 time을 가지고 있고 특별한 문제는 없습니다. 그리고 단순히 스위칭을 하는 것이 아니라 고압/고전류 변환시 안정적 신호를 보내기위해 해당 module과 스위치박스는 연동이 되어있습니다.
이*원2014-04-22 오전 11:24:13
이 장비가 Die chip level에서도 (probe station을 이용)가지고 측정할 수 있는 구조인가요?
agilent02014.04.22
네, 일부 probe station의 경우 B1505A와 연결가능한 option이 있습니다. prober station의 경우 회사마다 다르지만 최대 200A나 3000V를 지원하기도 합니다.
정*호2014-04-22 오전 11:23:02
혹시 상온이 아닌 저온,고온에서도 시험이 가능한가요 ? 즉 온도특성에 따른 변화도 측정이 되는지 ...
agilent02014.04.22
B1505A의 경우 외부 온도조정은 안됩니다. 다른 장비를 이용해서 온도를 가하시고, zig를 구성하시면 B1505A를 연결해서 측정하실수 있습니다. 일반적이로 이렇게 많이 사용하고 계십니다.
김*완2014-04-22 오전 11:22:20
breakdown 측정 방법에서 Tektronic사의 370혹은 371A처럼 continue Pulse가 인가 되는 것인지요?
agilent02014.04.22
일반적으로 break down 측정은 DC로 많이 합니다. pulse도 가능합니다
sang***2014-04-22 오전 11:18:46
BREAKDOWN 용어의 의미가 뭐죠?
agilent02014.04.22
항복전압입니다. device가 off status인 경우 Drain이나 Gate만 전압을 인가 했을때 얼마나 견뎌주느냐 하는 것을 보기위한 것입니다.
sang***2014-04-22 오전 11:16:09
파워소자가 사용중 파괴가 되는 이유는 대부분 무엇인가요? 모터 연결시 역기전력 때문인가요. 파워소자가 파괴되는 조건을 이 계측기로 시뮬레이션 가능한가요? 가상의 역기전력 발생...
agilent02014.04.22
문의하신 내용을 볼려면 dynamic 특성을 보셔야 할 거 같습니다, short circuit이나 unclamped test같은.. dynamic에 대한 부부은 성격이 다른 측정법이과 다른 장비를 사용하셔야 합니다.
정*호2014-04-22 오전 11:12:51
GaN 시장이 아직 SiC 보다 덜 발달된 것 같은데 그 이유가 부품의 안정성이나 비용등에 따른건가요 아니면 다른 이유가 있나요 ?
agilent02014.04.22
제조의 어려움과 단가이지요... GaN의 경우는 기본 자재를 만드는 것도 SiC보다 어렵고, 소자 특성도 조금 다릅니다.