다양한 위협 요인으로부터 회로 보호하기 (Circuit Protection)

2017-04-10 08:00~14:00

Texas Instruments / 문성민 대리

웨비나정보 웨비나Q&A

정*태2017-04-11 오전 11:06:09
inrush 측정에서 통상은 전류값을 참조 많이하는데요.. 전압값을 참조하는 경우와의 장단점을 좀 알수 있을까요???
TI12017.04.11
현재 바로 답변 드리기는 힘든 내용인 것으로 보입니다^^; 이메일 남겨주시면 확인 후 답변 드리도록 하겠습니다.
장*봉2017-04-11 오전 11:05:56
열화로 부터 보호 할 수 있는 방법도 소개 부탁 드립니다.
TI12017.04.11
조금 더 구제척으로 이메일을 통해 질문 주시면 답변 드릴 수 있도록 하겠습니다 ^^
TI12017.04.11
조금 더 구제척으로 이메일을 통해 질문 주시면 답변 드릴 수 있도록 하겠습니다 ^^
조*선2017-04-11 오전 11:05:47
TI ESD 보호 IC는 어떤 패키지 타입인가요? 대략적인 단가는 알수 있는지요?
TI12017.04.11
QFN 제품도 있고, 저항과 같은 foot print를 갖는 작은 제품도 있습니다.
김*희2017-04-11 오전 11:05:40
Ti TVS ESD소자의 품번을 알 수 있나요?
TI12017.04.11
TPD1S414 와 같이 OVP 기능이 추가된 것뿐만 아니라 단순 ESD 제품과 같이 많이 제품들이 있습니다. 캐패시턴은 응답속도 등에 따라 로드맵이 많기에 TI 사이트에서 해당 항목들 검색 부탁드리겠습니다
김*빈2017-04-11 오전 11:05:27
TI TVS ESD Protection 디바이스 추천 해주세요. 동작 전압별로 구분해서 사용해야 하나요?
TI12017.04.11
파워 라인인지, data 라인인지 먼저 구분하셔야 합니다. 이메일 남겨주시면 로드맵 자료 드리도록 하겠습니다.
정*균2017-04-11 오전 11:05:05
저항값이 다른 제품에 비해 어느정도나 작은지요?
TI12017.04.11
최근 저희 제품 중 신규 미세 공정을 적용한 제품들을 개발 중에 있습니다. 이러한 제품들은 기존 제품보다 수십 퍼센트 이상의 효과가 있습니다.
이*우2017-04-11 오전 11:05:00
보호소자의 정전용량, Working voltage, clamping voltage 등은 어떻게 되는지요?
TI12017.04.11
제품별로 매우 다르기 때문에 현대 답변 드리기 힘들 것으로 보입니다. 구성하시는 회로의 조건과 이메일 남겨주시면 답변 드릴 수 있도록 하겠습니다.
이*우2017-04-11 오전 11:04:18
ESD PROTECTION 반응 시간은 어떻게 되는지요
TI12017.04.11
ESD 를 Clamping 하는 것이 eFuse 의 주된 목적이 아니기 때문에 특정 전압값에 대한 JEDEC 표준만 데이터시트에 명시가 되어있습니다
무명2017-04-11 오전 11:04:13
HBM 과 MM, CDM를 서로 비교할 수 있는 방법이 있나요? IC별로 HBM 관련 Spec 만 기재되어 있는 경우가 있어서 문의 드립니다.
TI12017.04.11
본사 확인이 필요한 내용으로 담당 FAE나 세일즈를 통해 문의 하시면 되겠습니다.
공*철2017-04-11 오전 11:03:15
일반적으로 IC SPEC을 보면 HBM이 높으면 MM도 높게 나오는것 같은데.. 이걸 따로 관리 하는 이유가 있나요?
TI12017.04.11
최초에 JEITA spec 을 정의할때 별도로 테스트를 했었습니다. 하지만 말씀하신 것처럼 HBM MM 이 비슷한 경향을 보이기 때문에 많은 고객사에서 둘 중 하나에 대한 Spec 만을 문의하시는 경우가 많습니다