다양한 위협 요인으로부터 회로 보호하기 (Circuit Protection)

2017-04-10 08:00~14:00

Texas Instruments / 문성민 대리

웨비나정보 웨비나Q&A

김*빈2017-04-11 오전 10:51:54
TPS24XX와 TPS25XX시리즈의 가장 큰 차이는 무엇인가요?
TI12017.04.11
현재는 24xx와 25xx로 제품 특성을 구분 짓기는 힘들어 보입니다. 제품별로 모두 다른 특성을 갖고 있습니다.
정*균2017-04-11 오전 10:50:56
rc필터 구성시에 시정수 값은 어떻게 계산하는지요? 사용하는 pwm주파수와 관련이 있나요?
TI12017.04.11
원하시는 Cut-off frequency 등 실제 Sensing 하시고자 하는 신호의 주파수와 Noise 성분들에 대한 주파수를 확인하셔서 해당 cutoff 를 가지는 RC 필터 설계하시면 되니다
박*영2017-04-11 오전 10:50:05
예를 들오 current limit을 1A로 걸었을 경우 1A 이상 current가 흐를 경우 shut down 하지 않고 MAX 1A만을 계속 흐르게 하는 회로 구성은 어떻게 접근해야 하나요?
TI12017.04.11
power limit이 있는 제품을 사용하시면 됩니다. 사용하시는 회로의 bus 전압과 전류량을 곱하여 파워를 제한하시면 일정 파워 이상으로 전류가 올라가지 않습니다.
김*현2017-04-11 오전 10:48:32
사용자 회로의 터미널의 특성에 따라, 외부의 과전류나 과전압으로부터 구분하여 보호 받고자 하는데, 같은 TPS 보호 칩을 사용할 경우, 과전류나 과전압으로 부터 동시에 보호받나요?
TI12017.04.11
네 동시에 보호 받는 것이 가능합니다.
김*빈2017-04-11 오전 10:48:28
TPS24XX, TPS25XX 시리즈와 외부 회로에 TVS등 다른 소자와 함께 사용하는 경우 주의 해야 할 사항으로 어떤것이 있나요?
TI12017.04.11
바로 답변드리기 조금 힘든 내용인 것 같습니다^^; 이메일 남겨주시면 확인 후 답변 드리도록 하겠습니다.
이*혁2017-04-11 오전 10:47:53
센싱저항 크기는 어떻게 되나요? 그리고 센싱후 몇배 증폭인지 궁금합니다.
TI12017.04.11
센싱저항은 통상적으로 5~20m-ohm 정도를 많이 사용하시어 IR drop 이 50~100mV 가 되도록 설정하십니다. 해당 전압레벨일 경우 IC 내부적으로 바로 사용하는 경우도 있고 증폭을 하더라도 수배 이상 증폭하지 않습니다
신*기2017-04-11 오전 10:47:12
inrush current 에서도 FET가 damage를 받을수 있나요?
TI12017.04.11
네, inrush current가 FET의 SOA 영역 밖에서 발생한다면 데미지를 줄 수 있습니다.
공*철2017-04-11 오전 10:45:58
FET의 SOA영역이내에서 반복적으로 스트레스가 가해져도 문제가 없나요?
TI12017.04.11
SOA 에는 Time domain 과 그 주기에 대한 Spec 까지 같이 정의되어 있습니다. 해당 부분 넘기지 않으시면 문제 되지 않습니다
변*환2017-04-11 오전 10:44:44
음전원에 대한 controller는 어떤 것이 있나요? 예를 들어 양전원 15V를 사용하는 경우 +15V에 대해서는 세미나에서 소개되는 Device를 사용하면 될것 같으나 -15V에 대해서는 어떻게 해야 할까요?
TI12017.04.11
negative voltage를 지원하는 제품이 있습니다.
무명2017-04-11 오전 10:44:33
내부나 외부에 FET가 있는 제품을 배터리 후단에 적용할 경우 충전에는 문제가 발생하지 않을까요?
TI12017.04.11
FET 의 Rdson 으로 인해서 실제 충전전압과 Battery 에 인가되는 전압이 다르기에 충전시간이 늦어지는 영향을 제일 먼저 생각할 수 있습니다. 하지만 배터리 앞단이나 뒷단에 B2B FET 를 써서 보호회로를 쓰는 것은 대부분의 제조사에서 현재 적용하고 있는 방식입니다